Además de la memoria GDDR7 de 37 Gbps, Samsung Electronics también se está preparando para mostrar otras innovaciones de memoria en el IEEE-SSCC 2024. En primer lugar, la compañía demostrará la nueva memoria flash QLCNAND 3D de 280 capas con una densidad de 1 TB, que se puede utilizar en la próxima generación de SSD convencionales y almacenamiento de teléfonos inteligentes. El chip tiene una densidad de área magnética de 28,5 Gb/mm² y una velocidad de 3,2 GB/s.
El tipo de flash 3D NAND más rápido que actualmente alimenta los SSD NVMe emblemáticos tiene una velocidad de transferencia de datos de E/S de aproximadamente 2,4 GB/s.
El próximo calendario de la ISSCC para 2024 describe planes de demostración para memoria de alta velocidad, incluidas variantes de 37 Gb/s y 35,4 Gb/s basadas en las especificaciones Samsung y SKHynix GDDR7. Ambas empresas tienen la intención de aprovechar las innovadoras tecnologías de señalización PAM3 y NRZ para realizar avances en la memoria gráfica.
Aunque la memoria GDDR7 (con velocidades de hasta 32 Gb/s) se ha lanzado oficialmente, Samsung y Hynix están superando los límites con velocidades de desarrollo de memoria más rápidas. Micron también se ha unido a la refriega, anunciando que está comprometido a desarrollar memoria GDDR7 de 36 Gb/s, que se espera que esté en el mercado ya en 2026. En esta situación competitiva, Samsung y Hynix lanzarán primero módulos con velocidades ligeramente más bajas, y es probable que lancen gradualmente módulos de 35 Gb/s en una etapa posterior.
La siguiente es una nueva generación de chips de memoria DDR5 con una velocidad de transferencia de datos de DDR5-8000 y una densidad de 32 Gbit (4 GB). El chip utiliza una arquitectura de celda DRAM de mosaico simétrico y se fabrica en base al nodo de fundición de nivel de 10 nm de quinta generación de Samsung optimizado para productos DRAM.
Lo impresionante de este chip es que permite a los proveedores de memoria para PC construir DIMM de 32 GB y 48 GB (configuraciones de una sola fila) y DIMM de 64 GB y 96 GB (configuraciones de dos filas) a velocidades DDR5-8000 (suponiendo que la plataforma pueda manejar bien DDR5-8000 de dos filas).
Velocidad de memoria y ancho de banda de un vistazo:
[GDDR6/X]256 bits a 23 Gbps:736GB/s
[GDDR6]384 bits a 20 Gbps:960GB/s
[GDDR6/X]384 bits a 21 Gbps:1,00 TB/s
[GDDR6]256 bits a 24 Gbps:768GB/s
[GDDR6]384 bits a 24 Gbps:1,15 TB/s
[GDDR7]256 bits a 32 Gbps:1,00 TB/s
[GDDR7]384 bits a 32 Gbps:1,53 TB/s
[GDDR7]256 bits a 37 Gbps:1,18 TB/s
[GDDR7]384 bits a 37 Gbps:1,79 TB/s