En la próxima Conferencia de Circuitos de Estado Sólido (SSCC) del IEEE que se celebrará en febrero de 2024, Samsung no es el único gigante coreano de la memoria que mostrará su última tecnología. SK Hynix también se unirá para mostrar tecnologías competitivas para sus líneas de productos de memoria volátil y no volátil.

En primer lugar, SK Hynix será la segunda empresa en mostrar chips de memoria GDDR7 después de Samsung. El chip SKHynix tiene una velocidad de 35,4 Gbps, que es inferior a los 37 Gbps mostrados por Samsung, pero la densidad sigue siendo de 16 Gbit. Esta densidad permite implementar 16 GB de memoria de video en un bus de memoria de 256 bits. No todas las GPU de próxima generación pueden alcanzar la velocidad máxima de 37 Gbps y algunas pueden funcionar con velocidades de memoria más bajas, y SK Hynix tiene opciones adecuadas en su línea de productos.

Al igual que Samsung, SKHynix utiliza señalización de E/S PAM3 y una arquitectura patentada de bajo consumo (aunque la compañía no dio más detalles sobre si es similar a los cuatro estados de reloj de baja velocidad del chip Samsung).

GDDR7 seguramente dominará la próxima generación de tarjetas gráficas en los campos visual profesional y de juegos; sin embargo, el mercado de procesadores AI HPC seguirá dependiendo principalmente de HBM3E. SKHynix ha innovado en esta área y demostrará un nuevo diseño de pila HBM3E de 16 capas y 48 GB (384 Gbit), con una velocidad de pila única de hasta 1280 GB/s. Un procesador con cuatro de estas pilas tendrá 192 GB de memoria y un ancho de banda de 5,12 TB/s. La pila utiliza un diseño TSV (a través de Silicon Via) de potencia total y un esquema RDQS (Read Data Queue Strobe) de 6 fases para optimizar el área TSV.

Finalmente, SKHynix también demostrará por primera vez en la conferencia su estándar de memoria LPDDR5T (LPDDR5Turbo) para teléfonos inteligentes, tabletas y computadoras portátiles delgadas y livianas. Gracias a la tecnología patentada de reducción de capacitancia parásita y la tecnología de receptor de calibración de compensación de voltaje, el chip puede alcanzar una velocidad de transferencia de datos de 10,5 Gb/s por pin y un voltaje DRAM de 1,05 V.