Además de anunciar que la próxima generación de memoria de alto ancho de banda HBM3E puede lograr un chip único de 36 GB líder en el mundo y una frecuencia equivalente de 9,8 GHz, Samsung también espera con ansias la dirección de una generación verdaderamente nueva de memoria HBM4. En el plan de Samsung, HBM4 tendrá dos direcciones de desarrollo, utilizando procesos de transistores más avanzados y tecnología de empaquetado más avanzada.
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En términos de tecnología, Samsung planea abandonar los transistores planos tradicionales y utilizar transistores tridimensionales FinFET en HBM, reduciendo así la corriente de accionamiento requerida y mejorando la eficiencia energética.
La tecnología de transistores tridimensionales FinFET fue introducida por primera vez por Intel22nm y ha sido la base del proceso de fabricación de semiconductores a lo largo de los años. A continuación, Intel20A, TSMC de 2 nm y Samsung de 3 nm recurrirán a transistores de puerta tridimensionales envolventes completos.
En términos de empaque, Samsung planea pasar de la unión con micro-golpes a la unión sin golpes (bumplessbongding) para interconectar directamente las capas de cobre.
De hecho, esta también es una tecnología bastante avanzada en el campo de los chips lógicos y aún está en desarrollo.
Obviamente, esto ayudará a que las memorias de HBM sigan ampliando su capacidad, frecuencia y ancho de banda, pero el coste también seguirá siendo alto, lo que está destinado a tener poca relevancia para los usuarios comunes y seguirá siendo exclusivo de los campos de HPC e IA.