Según MoneyToday de Corea del Sur, SKhynix está desarrollando actualmente otra variante de LPDDR5. El gran proveedor de chips de memoria DRAM y flash ha revelado públicamente su diseño LPDDR5 Turbo(T), que data de finales de 2023, y la iteración se anuncia como "el estándar de memoria móvil más rápido del mundo".
La primera demostración pública de LPDDR5T (10533) tuvo lugar en la Conferencia de Circuitos de Estado Sólido del IEEE en febrero pasado. Actualmente, el conocido estándar LPDDR5X es muy común en los canales comerciales.
Los expertos de la industria creen que el voltaje de funcionamiento estándar LPDDR5M no anunciado es más bajo (supuestamente 0,98 V) en comparación con los productos actuales (X: 1,05 V). Dada la naturaleza de su acrónimo, LowPowerDoubleDataRate, este tipo de memoria fue diseñado originalmente para funcionar de manera eficiente y es ideal para aplicaciones móviles.
Un experto de la industria señaló que las discusiones internas de la empresa resaltaron una diferencia porcentual clave: "A máxima velocidad, LPDDR5M es aproximadamente un 8% más eficiente energéticamente que LPDDR5X". Un informe de noticias reciente relacionado con MoneyTodaySK mencionó que el liderazgo de la compañía clasificó el antiguo estándar LPDDR4 como un "producto heredado". Por el contrario, la variante LPDDR5 está (supuestamente) clasificada como un "producto de alto valor añadido".
Los observadores de la industria de la memoria creen que los rumores sobre LPDDR5M son un fortalecimiento (y diversificación) de la estrategia de SKhynix, que ya incluye LPDDR5X y LPDDR5T. Según las fuentes, la memoria LPDDR5M está destinada a aparecer en dispositivos de teléfonos inteligentes de próxima generación con capacidades de inteligencia artificial integradas.