Hoy, Micron anunció el lanzamiento de las primeras soluciones de almacenamiento UFS4.1 y UFS3.1 del mundo basadas en G9 para teléfonos inteligentes, lo que permite más funciones de inteligencia artificial en el dispositivo. Los nuevos chips de memoria se lanzarán en productos emblemáticos poco después de que los chips 1yLPDDR5X de Micron estén disponibles a principios de 2026.
Los chips de memoria móvil UFS4.1 y UFS3.1 se basan en el nodo de proceso G9 de Micron y tienen mayor eficiencia energética y velocidades de lectura y escritura. Los chips tienen capacidades entre 256 GB y 1 TB y son adecuados para teléfonos inteligentes ultrafinos y plegables.
Sin embargo, además de las mejoras de hardware, Micron también prometió realizar algunos ajustes de software para mejorar la experiencia del usuario y mejorar el rendimiento de algunas tareas de inteligencia artificial.
Por ejemplo, la solución de almacenamiento UFS4.1 admite ZonedUFS, que mejora la eficiencia de lectura y escritura y reduce la amplificación de escritura, mientras que la desfragmentación de datos mejora la reubicación y desfragmentación de datos dentro de los dispositivos UFS en un 60 %. PinnedWriteBooster puede aumentar la velocidad de acceso a los datos en el búfer WriteBooster en un 30%. Smart Latency Tracker automatiza la depuración analizando los registros de latencia. La última característica también se aplica al UFS3.1, mientras que las demás parecen ser exclusivas del chip UFS4.1.