NEO Semiconductor anunció recientemente el lanzamiento de dos nuevos diseños de unidades 3D X-DRAM: 1T1C y 3T0C, que se espera que cambien por completo el status quo de la memoria DRAM.Estos dos diseños utilizan arquitecturas de capacitancia única de un solo transistor y de capacitancia cero de tres transistores, respectivamente. Se espera que los chips de prueba de concepto se produzcan en 2026 y proporcionen 10 veces la capacidad de los módulos DRAM ordinarios actuales.
Basada en la tecnología 3D X-DRAM de NEO, la unidad de memoria de nuevo diseño es capaz de albergar 512 GB (64 GB) de capacidad en un solo módulo, que es al menos 10 veces más que cualquier módulo actualmente en el mercado.
En las simulaciones de prueba de NEO, estas unidades alcanzaron velocidades de lectura y escritura de 10 nanosegundos y un tiempo de retención de más de 9 minutos, los cuales están a la vanguardia de las capacidades DRAM actuales.
El nuevo diseño utiliza materiales a base de óxido de indio, galio y zinc (IGZO), y las celdas 1T1C y 3T0C se pueden construir como 3D NAND, utilizando un diseño apilado para aumentar la capacidad y el rendimiento manteniendo la eficiencia energética.
Andy Hsu, director ejecutivo de NEO Semiconductor, dijo:"Con la introducción de 1T1C y 3T0C 3D X-DRAM, estamos redefiniendo lo que es posible en tecnología de memoria. Esta innovación rompe las limitaciones de escala de la DRAM actual, convirtiendo a NEO en un líder en memoria de próxima generación".
NEO Semiconductor planea compartir más información sobre 1T1C, 3T0C y otros productos de las series 3D X-DRAM y 3D NAND en el Simposio Internacional de Memoria IEEE de este mes.