La empresa de semiconductores NEO Semiconductor anunció recientemente el uso de la tecnología 3D X-DRAM para rediseñar la memoria en la era de la inteligencia artificial y la informática de alto rendimiento. 3D X-DRAM imita la memoria flash 3D NAND en la industria del almacenamiento, apilando chips verticalmente en múltiples capas para aumentar la densidad y el rendimiento.
NEO Semiconductor promete que las capas apiladas pueden aumentar considerablemente la capacidad de almacenamiento, mejorar el ancho de banda y reducir el consumo de energía. Su solución técnica es dividirlo en múltiples sectores a través de ranuras verticales, y las capas de líneas de palabras están conectadas a través de una estructura jerárquica (es decir, el estilo de la arquitectura de apilamiento vertical).
En comparación con la DRAM plana de 48 GB del nodo 0A actual, NEO Semiconductor afirma que su arquitectura 3D X-DRAM puede permitir que las tarjetas de memoria alcancen los 512 GB. Este tipo de tarjeta de memoria de gran capacidad puede tener cierta demanda en los campos de la informática con inteligencia artificial y la informática de alto rendimiento.
Sin embargo, el chip de prueba de concepto actual de NEO Semiconductor aún se encuentra en sus primeras etapas. NEO está desarrollando actualmente una versión de prueba de arquitectura 1T0C más simple, y se planea lanzar la versión 1T1C más compleja y avanzada en 2026. Esta versión utiliza transistores de película delgada IGZO (óxido de indio, galio y zinc) con condensadores dieléctricos cilíndricos de alta k, que se espera que aumenten el tiempo de retención de datos a 450 segundos y puedan apilar 128 capas. En el futuro, el diseño 3T0C utilizará capas IGZO duales, principalmente para computación de memoria y aplicaciones de inteligencia artificial.
Por supuesto, estas memorias de gran capacidad definitivamente no se lanzarán al mercado de consumo en un corto período de tiempo, sin mencionar que el precio definitivamente será muy alto y el hardware de consumo no admitirá ni una sola tarjeta de memoria de gran capacidad de 512 GB. Por lo tanto, después del desarrollo exitoso de NEO Semiconductor, también necesitará cooperar con los fabricantes de hardware, al menos para ser compatible primero con el hardware del servidor.