Después de años de investigación y desarrollo, UltraRAM finalmente ha logrado avances significativos hacia la producción comercial. A principios de este verano, IQE plc, un proveedor líder de productos de obleas avanzados, completó un proyecto de un año de duración para desarrollar un proceso epitaxial escalable para esta prometedora tecnología de memoria. La directora ejecutiva, Jutta Meier, elogió la medida como un hito hacia la producción industrial.
UltraRAM está diseñado para combinar las mejores características de RAM y NAND y al mismo tiempo eliminar sus deficiencias. La tecnología promete ofrecer velocidades similares a las de la DRAM no volátil, una resistencia superior y una mayor eficiencia energética. Según se informa, el prototipo probado en ese momento proporcionaba 1.000 años de retención de datos y más de 10 millones de ciclos de programación/borrado, 100 veces más que la memoria flash. Algunos lo llaman "memoria universal".
La convergencia de RAM y memoria flash en un solo producto no es nada nuevo. Empresas de renombre, incluidas Intel y Samsung, han probado tecnologías similares en los últimos años, pero hasta ahora sus esfuerzos no han tenido mucho impacto en el mercado. Intel abandonó su plataforma Optane en 2022, aunque Samsung actualizó recientemente sus productos Z-NAND para llenar el vacío.

En 2020, Kioxia y Western Digital se unieron para crear un competidor de Optane llamado XL-FLASH. En mayo de este año, se presentó en la exposición Computex un SSD PCIe 5.0 personalizado basado en esta tecnología, con un IOPS de lectura aleatoria de hasta 3,5 millones. El SSD N3X de InnoGrit ofrece un rendimiento de lectura secuencial sostenido de hasta 14 GB/s y un rendimiento de escritura secuencial de hasta 12 GB/s. Las IOPS de escritura aleatoria son de hasta 700 000 y la latencia de lectura es de solo 13 microsegundos.
El fabricante de UltraRAM Quinas está trabajando actualmente con fundiciones y socios estratégicos para lanzar una producción piloto. No hay garantía de que la tecnología tenga éxito (primero tiene que llegar a la producción en masa), pero es alentador que los fabricantes no hayan abandonado la idea de combinar los dos tipos de memoria.