Samsung está considerando ajustar su estrategia de fabricación de DRAM y planea reducir entre un 30% y un 40% la capacidad de producción general de DRAM del proceso de 1a nm utilizada originalmente para producir la memoria HBM3E.Posteriormente, Samsung ampliará su capacidad de proceso de 1.000 millones de nm adecuada para productos de memoria estándar (como DDR5 y LPDDR5x) mediante la conversión de procesos para maximizar las ganancias generales.
Debido a la explosión de la demanda de IA, la toma de capacidad de producción central por parte de HBM y la limitada expansión de la producción a corto plazo, los precios de los productos de memoria generales como DDR5, LPDDR5x y GDDR7 han aumentado rápidamente recientemente.
Para Samsung, la capacidad de producción actual del proceso de 1.000 millones de nm ha superado la del proceso de 1a nm, que tradicionalmente se cree que se beneficia del alto precio de HBM en términos de rentabilidad.
Aunque Samsung finalmente logró convertirse en el proveedor de HBM3E de NVIDIA, su escala de suministro fue relativamente limitada y el precio de venta promedio del propio HBM3E de Samsung fue un 30% más bajo que el de su competidor SK Hynix.
Con base en estos factores, los participantes del mercado analizan que si Samsung cambia del 30% al 40% de la capacidad de producción del proceso de 1a nm y la capacidad de producción de procesos más maduros como 1z nm a 1b nm, se espera que el volumen de producción mensual de obleas del proceso de 1b nm se expanda en 80.000 obleas adicionales, lo que ayudará significativamente a la rentabilidad general de Samsung.
