Según informes de los medios coreanos, Samsung Semiconductor está avanzando en un nuevo proyecto de proceso de 2 nanómetros para memoria de gran ancho de banda (HBM) y planea desarrollar chips lógicos HBM personalizados para las diferentes necesidades de los clientes. El informe citó a expertos de la industria diciendo que, aunque la lista específica de clientes aún no ha sido revelada, el equipo de desarrollo de HBM de Samsung ha comenzado una investigación previa para la próxima generación de productos que utilizan procesos de fundición de obleas "avanzados a 2 nanómetros" para sentar las bases para futuras generaciones de soluciones de HBM.
No está claro si el plan utilizará en última instancia nodos de 2 nm como SF2 o SF2P en el propio sistema de fundición de Samsung.
La información existente muestra que se espera que la línea de productos HBM de sexta generación de Samsung (HBM4) se base en el proceso de 4 nanómetros, que se especula ampliamente que proviene del nodo de la familia SF4. Una fuente anónima de la empresa reveló que Samsung Electronics está diseñando chips lógicos personalizados para HBM bajo el liderazgo del equipo de SoC personalizado recién establecido el año pasado bajo la Unidad de Negocios System LSI y construyendo una cartera de procesos que cubre de 4 nanómetros a 2 nanómetros para responder a las diversas necesidades de diferentes clientes.
Los analistas de la industria creen que los aceleradores de IA de rendimiento ultraalto orientados al futuro dependerán en gran medida de los módulos de HBM con rendimiento y ancho de banda más avanzados. Con la implementación real de chips lógicos de 2 nanómetros, se espera que el mercado de IA a nivel empresarial experimente un "fuerte" crecimiento de la demanda, que probablemente esperará hasta después del producto HBM4E de séptima generación, es decir, después de 2027.