¡Esta es la primera exhibición pública de la memoria Intel ZAM! La semana pasada informamos que Intel alcanzaría una cooperación profunda con Saimemory, una subsidiaria de SoftBank.Desarrollaron conjuntamente una nueva tecnología de memoria de próxima generación llamada ZAM (memoria de ángulo Z). Su capacidad máxima de un solo chip puede alcanzar los 512 GB y su consumo de energía es entre un 40% y un 50% menor que la memoria HBM convencional actual. Su objetivo es romper el monopolio de HBM.
Pensé que todavía estaba muy lejos, pero no esperaba que Intel mostrara sus productos prototipo al mundo tan rápido. Según el medio japonés PCWatch,En el evento Intel Connection Japan 2026, Intel demostró públicamente por primera vez su prototipo de tecnología de memoria ZAM (memoria de ángulo Z).
Al evento asistieron Joshua Fryman, académico de Intel y director de tecnología para tecnología gubernamental, y Makoto Onho, director ejecutivo de Intel Japón.
Este evento se centra principalmente enCómo ayuda ZAM a las soluciones existentes a aliviar los cuellos de botella térmicos y de rendimiento. También es la primera vez que esta tecnología va más allá de los artículos de investigación y los comunicados de prensa y se presenta al mercado en forma de prototipo.
El principal avance de la tecnología ZAM radica en el diseño arquitectónico. Abandona el modo de cableado vertical de la memoria tradicional y utiliza una topología de interconexión escalonada para realizar un cableado diagonal en "zigzag" dentro de la pila de chips. Utiliza tecnología de unión híbrida cobre-cobre para lograr una integración eficiente entre las capas de chips.
Al mismo tiempo, combina un diseño sin condensadores con la madura tecnología de interconexión EMIB de Intel.No solo logra una conexión de alta velocidad con el chip AI, sino que también reduce significativamente la resistencia térmica del chip, lo que hace que el rendimiento de disipación de calor sea su principal ventaja.
En comparación con la memoria HBM convencional actual en el campo de la IA, las ventajas del producto ZAM son muy destacadas:La capacidad máxima de un solo chip puede alcanzar los 512 GB y el consumo de energía es entre un 40% y un 50% menor que el de HBM. Puede resolver con precisión el problema de la industria que representa el alto consumo de energía en los centros de datos de IA. El diseño de interconexión en forma de Z simplifica aún más el proceso de fabricación y sienta las bases para una posterior producción en masa a gran escala.
Según la información difundida en el evento, Intel será responsable de la inversión inicial y la toma de decisiones estratégicas en el proyecto ZAM. La clara división del trabajo entre las dos partes aclara el camino de implementación de esta tecnología.
De hecho, Intel fue un actor importante en el mercado de DRAM en los primeros años. En 1985 se retiró de las pistas debido a la competencia de los fabricantes japoneses.
Hoy en día, el entrenamiento global de modelos grandes de IA y la computación de centros de datos a gran escala han impulsado que la demanda de potencia informática aumente exponencialmente. El cuello de botella de la cadena de suministro de DRAM se ha vuelto prominente. El monopolio de las memorias de HBM también ha provocado problemas de costes y capacidad de producción, lo que supone una importante oportunidad para el regreso de Intel. Basándose en su profunda acumulación tecnológica en los campos de empaquetado avanzado y apilamiento de chips, Intel está tratando de aprovechar oportunidades en el mercado de memorias de IA con la tecnología ZAM.
Sin embargo, la tecnología ZAM todavía enfrenta una prueba clave para lograr un avance en el mercado. Que en última instancia pueda romper la estructura del mercado existente depende de si puede ser adoptado por empresas líderes en la industria de la inteligencia artificial como NVIDIA y de si puede completar con éxito la producción en masa y la construcción ecológica en el futuro.
