Apple está considerando asociarse con las empresas chinas de semiconductores CXMT y YMTC para proporcionar chips de memoria y almacenamiento para la próxima serie de iPhone 18 y otros productos, incluidos MacBooks y Mac de escritorio.
Actualmente, Apple depende principalmente de proveedores de almacenamiento y memoria, incluidos Kioxia, Samsung y SK Hynix. Sin embargo, en el contexto de escasez de suministro industrial y fuertes aumentos de precios, estos fabricantes han aumentado los precios, presionando a Apple para que reduzca las ganancias mientras mantiene el precio oficial del producto (MSRP). Para distribuir los riesgos de suministro y aliviar la presión de costos, se dice que Apple está evaluando la inclusión de la DRAM de Changxin y la memoria flash NAND de Yangtze Memory en el sistema de suministro para reducir la dependencia de los fabricantes japoneses y coreanos.
Este desarrollo está estrechamente relacionado con los últimos cambios en el entorno regulatorio de EE. UU.: según se informa, la Oficina de Industria y Seguridad (BIS) del Departamento de Comercio de EE. UU. eliminó recientemente a Changxin Storage y Yangtze Storage de la lista de empresas chinas restringidas, eliminando importantes obstáculos políticos para que Apple adopte los productos de estas dos empresas. Para Apple, esto significa que tiene la oportunidad de introducir de manera más flexible productos de almacenamiento y memoria de fabricantes locales de semiconductores chinos en la cadena de suministro global sin violar las regulaciones de control de exportaciones de Estados Unidos.
En términos de memoria, Changxin Memory ha producido en masa una variedad de productos, incluidos LPDDR5X y DDR5, y sus especificaciones son muy consistentes con las líneas de productos existentes de Apple. La serie iPhone de Apple y los Mac equipados con SoC de la serie M de desarrollo propio utilizan actualmente principalmente LPDDR5X como memoria del sistema. Por lo tanto, se espera que los chips LPDDR5X de 12 Gb y 16 Gb de capacidad proporcionados por Changxin cubran las principales necesidades de capacidad de las líneas de productos de computadoras y teléfonos móviles de Apple Intelligence. Esto proporciona una base técnica realista y factible para que Apple introduzca proveedores chinos de DRAM en la próxima generación de dispositivos móviles y PC.
En términos de almacenamiento, se espera que Yangtze Memory se convierta en una fuerza incremental importante en la cadena de suministro de memoria flash de Apple. Según el análisis de desmontaje de TechInsights, Yangtze Memory ha producido en masa chips de memoria flash 3D NAND de quinta generación, con un número total de capas apiladas que alcanzan las 294, de las cuales 232 son capas de almacenamiento efectivas. Con una densidad de bits cercana a los 19,8 Gb por milímetro cuadrado, la eficiencia de área de esta generación se acerca a los niveles alcanzados actualmente por los principales fabricantes de NAND del mundo. Esto significa que sin sacrificar la densidad de almacenamiento y el rendimiento, los chips de Yangtze Memory pueden integrarse con relativa fluidez en la cadena de suministro de terminales de alta gama existente sin "bajas" significativas en los indicadores.
Si Apple finalmente adopta tanto la DRAM de Changxin Memory como la NAND de Yangtze Memory, el panorama de almacenamiento y memoria del mercado mundial de electrónica de consumo de alta gama puede sufrir un cierto grado de reorganización. Para Apple, esto no sólo ayudará a aliviar la actual presión de costos causada por la escasez global de memoria y memoria flash, sino que también ganará un mayor margen de maniobra en términos de seguridad de suministro, espacio de negociación y dispersión de riesgos geopolíticos. Para los actuales fabricantes de almacenamiento japoneses, coreanos y algunos estadounidenses, esto significa que su futuro dominio del mercado de teléfonos inteligentes y PC de alta gama puede enfrentar una competencia más directa de los fabricantes chinos.