Kioxia anunció oficialmente que se ha probado la memoria flash UFS 5.0 y continuará introduciendo nueva tecnología de memoria flash en los productos UFS para satisfacer la creciente demanda de mayor capacidad y mayor rendimiento en el mercado móvil, permitiendo a los teléfonos inteligentes y otros dispositivos implementar funciones de IA de alto rendimiento en el dispositivo.

Las muestras enviadas por Kioxia para pruebas esta vez utilizan su propio control principal desarrollado, proporcionan capacidades de 512 GB y 1 TB, admiten la tecnología BiCS8 FLASH y están empaquetadas en un tamaño pequeño de 7,5 x 13 mm, lo que mejora la eficiencia del espacio y la flexibilidad del diseño.

Entre ellos, se están enviando muestras de 512 GB a los clientes y está previsto que se envíen muestras de 1 TB el próximo mes para permitir a los clientes que desarrollen sistemas compatibles con UFS 5.0 realizar evaluaciones de rendimiento y pruebas de interoperabilidad.

En la actualidad, la Asociación de Tecnología de Estado Sólido JEDEC no ha publicado oficialmente el estándar UFS 5.0, que aún se está formulando para satisfacer las necesidades de rendimiento de la próxima generación de dispositivos móviles. Utiliza MIPI M-PHY v6.0 como capa física e introduce el nuevo modo HS-GEAR6. Además, la especificación UniPro v3.0 se utiliza como protocolo para construir la base de la capa de interconexión.

En teoría, UFS 5.0 admite una velocidad de interfaz de hasta 46,6 Gbps por canal. Con canales duales, puede lograr un rendimiento efectivo de lectura y escritura de 10,8 GB/s, que es más del doble que el UFS 4.0 de la generación anterior (4,2 GB/s).

En términos de funciones de seguridad, UFS 5.0 también agrega una función hash en línea, que permite que el módulo de almacenamiento realice cálculos hash instantáneos durante el proceso de lectura y escritura, lo que reduce el riesgo de acceso no autorizado y manipulación.