El fabricante chino de chips de memoria Changxin Memory (CXMT) ha lanzado la producción en masa de la memoria HBM de 12 capas y gran ancho de banda.La implementación de la tecnología de apilamiento de 12 capas le brinda a Changxin Storage la capacidad de ingresar al campo de la producción de hardware de inteligencia artificial de alta gama. La brecha tecnológica que existe desde las primeras etapas del desarrollo de la industria entre los fabricantes chinos de almacenamiento y las principales empresas coreanas se está reduciendo significativamente.
Sólo tres años después de que Changxin Storage entrara oficialmente en el campo profesional de HBM, logró un avance clave en la producción en masa de HBM de 12 capas. La principal dificultad de la fabricación de HBM es el complicado proceso de apilamiento vertical, que incluye la unión precisa de las capas de DRAM. El dominio total de esta tecnología por parte de Changxin Memory refleja directamente que el ecosistema de semiconductores local de China ha alcanzado un nivel avanzado de desarrollo.
Los observadores de la industria declararon,Samsung Electronics y SK Hynix han dominado el mercado mundial de HBM durante todo el año. Actualmente, la brecha de capacidad de fabricación entre Changxin Memory y los dos líderes coreanos se ha reducido a menos de tres años.
En términos de diseño de producción en masa, Changxin Storage optó por ampliar su influencia en el mercado a través de la escala de capacidad de producción. Los informes muestran que la empresa ha invertido aproximadamente el 20% de su capacidad total de producción de DRAM en la fabricación de HBM. Una vez completada la transformación de la capacidad de producción, su capacidad de producción mensual de obleas de HBM puede alcanzar las 60.000 obleas. En la actualidad, la tasa de rendimiento de producción de Changxin Memory es aún más baja que la de sus competidores coreanos. Su objetivo principal en esta etapa es satisfacer plenamente la demanda del mercado de productos de IA nacionales y al mismo tiempo crear un diseño estratégico para ingresar al mercado internacional en el futuro.
Para mantener su impulso de desarrollo y ampliar su capacidad de producción, Changxin Storage planea recaudar 4.200 millones de dólares a través de su OPI. Los fondos se utilizarán para construir nuevas instalaciones de producción de HBM y mejorar los centros de fabricación de DRAM existentes.
Actualmente, la empresa trabaja en estrecha colaboración con proveedores de equipos nacionales y extranjeros. Se espera que la infraestructura de producción central esté terminada en 2026 y los fondos también la ayudarán a optimizar aún más la tecnología de unión y los sistemas de gestión térmica.
El lanzamiento de los productos HBM de 12 capas de Changxin Storage ha generado una presión competitiva cada vez mayor para líderes del mercado como Samsung y SK Hynix. Este último debe acelerar el avance de tecnologías de fabricación más avanzadas para mantener su liderazgo en la industria.
Los expertos de la industria predicen que la próxima etapa de competencia en la industria del almacenamiento global se centrará en el desarrollo y la implementación de tecnología de unión híbrida y apilamiento de 16 capas.
