Intel anunció la semana pasada que se unirá al proyecto de chip gigante Terafab de Musk para participar en los procesos de diseño, fabricación y empaquetado de chips, y ayudar a Terafab a alcanzar el objetivo de una capacidad de producción anual de un teravatio de potencia informática. Aunque esta cooperación se considera una situación beneficiosa para todos, no solo permitirá a Terafab obtener tecnología y experiencia profesionales en la fabricación de chips, sino que también permitirá al departamento de fundición de chips de Intel obtener nuevos recursos de clientes. Sin embargo, en comparación con TSMC y Samsung Electronics, que tienen tecnologías más maduras, el resultado final de Intel al obtener la aprobación de Musk todavía generó cierta reflexión en la industria.
Un artículo técnico publicado recientemente por Intel puede explicar la clave de esta colaboración. El día en que se anunció la asociación, Han Wui Then, ingeniero jefe senior del Instituto de Investigación de Tecnología Foundry de Intel, publicó en un foro comunitario que Intel había logrado grandes avances en chips de nitruro de galio.
nuevo avance
Según el artículo, los chips de nitruro de galio son un semiconductor compuesto más estable que el silicio en entornos de alta presión. Intel ha encontrado una manera de cultivar chips de nitruro de galio directamente en obleas estándar de 300 mm utilizando equipos de producción de semiconductores estándar, lo que permite una producción de bajo costo.
Los investigadores también utilizaron un nuevo proceso de adelgazamiento llamado corte sigiloso antes de moler (SDBG), que permitió a Intel crear chips de nitruro de galio con un espesor de sustrato de silicio de solo 19 micrones. Como referencia, 1 micra equivale a una millonésima parte de un metro y 19 micras es sólo una quinta parte del diámetro de un cabello humano.
Además, Intel también ha integrado con éxito la electrónica de potencia de nitruro de galio y los circuitos lógicos de silicio en el mismo chip, lo que significa que en el proceso de fabricación tradicional se ha solucionado el problema de tener que separar el transistor de potencia del circuito lógico en dos chips debido a su excesivo tamaño y a la generación de mucho calor y ruido eléctrico, reduciendo aún más el espacio del chip y reduciendo la pérdida de corriente.
Según Intel, esta integración funcionó bien en pruebas posteriores, funcionando correctamente y manteniendo su estabilidad en condiciones de alto estrés. Estas mejoras tecnológicas significan para Terafab que puede producir chips más delgados y livianos, reduciendo así el peso del cohete durante el lanzamiento, reduciendo así los costos de lanzamiento.
Además de la optimización del rendimiento del propio chip, los chips de nitruro de galio tienen otra ventaja. Son más resistentes a la radiación que los chips de silicio, lo que significa que son más adecuados para operaciones espaciales. Uno de los futuros escenarios de aplicación de Terafab son los centros de datos espaciales.
Sin embargo, no está claro si Intel otorgará licencia directa a Terafab para utilizar tecnología de nitruro de galio o si invertirá conjuntamente en el proyecto Terafab con SpaceX y Tesla para desarrollar esta tecnología. Y dada la enorme inversión en Terafab, las perspectivas de rentabilidad futura de Intel y Terafab aún necesitarán algo de tiempo para ser probadas, y es posible que la gente no comprenda el impacto económico de este proyecto hasta unos años más tarde.