La industria mundial de la memoria se encuentra en un ciclo ascendente histórico impulsado por la IA, y la industria nacional de DRAM ha marcado el comienzo de una ventana de desarrollo crítica. Mientras Changxin Memory (CXMT), la principal empresa nacional de chips de memoria, ha logrado avances sustanciales en la tecnología DDR5, los fabricantes chinos de módulos de memoria están acelerando el lanzamiento de productos posteriores y promoviendo la DDR5 nacional desde la etapa de verificación de la tecnología para ingresar a los mercados comerciales de nivel empresarial y de consumo a gran escala.
Powev, un importante fabricante nacional de módulos de memoria, anunció recientemente que su memoria de servidor DDR5 marca SINKER ha entrado oficialmente en la etapa de producción y entrega en masa. Su memoria de servidor DDR5 64GB 5600MT/s RDIMM ha pasado pruebas estrictas por parte de muchos fabricantes importantes y ha logrado oficialmente una entrega de producción en masa a gran escala. En la actualidad, toda la línea de producción está conectada, el suministro de material es estable, la capacidad de producción está llena y la tasa de rendimiento ha alcanzado los estándares de producción en masa, lo que puede satisfacer las necesidades de grandes clientes en cuanto a almacenamiento de lotes y entrega de proyectos.
Otros fabricantes nacionales, como COMAY, también han lanzado productos DDR5 basados en partículas Changxin para aplicaciones industriales y empresariales.
En el mercado de consumo, la memoria DDR5 nacional de las marcas Gloway y KingBank de Jiahe Jinwei estará en el mercado a finales de 2024, convirtiéndose en los primeros productos icónicos de DDR5 nacional en ingresar a los canales de circulación comercial.
El lanzamiento intensivo de productos downstream surge de los principales avances tecnológicos de Changxin Storage. Changxin Memory lanzó oficialmente productos de memoria DDR5 con una velocidad de 8000MT/s en la exposición IC China 2025 en noviembre del año pasado, proporcionando dos capacidades de partícula única de 16Gb y 24Gb, cubriendo completamente escenarios de aplicaciones como servidores, estaciones de trabajo y computadoras personales.
Aunque la capacidad de 24 Gb todavía está una generación por detrás de los chips de 32 GbDDR5 de gigantes internacionales como Samsung, SK Hynix y Micron, este es un hito importante en la historia del desarrollo de la industria DRAM de China.
Changxin Memory, fundada en 2016 y con sede en Hefei, Anhui, es actualmente la única empresa en China que ha logrado una producción en masa a gran escala de chips DRAM. Su línea de productos abarca memoria DDR para servidores y computadoras de escritorio, así como memoria LPDDR de bajo consumo para teléfonos inteligentes, tabletas y dispositivos portátiles. Este último ha entrado con éxito en la cadena de suministro de los principales fabricantes nacionales de productos electrónicos como Xiaomi, OPPO, vivo, Transsion y Lenovo.
Sin embargo, el mercado mundial de DRAM todavía está muy concentrado. Los datos de TrendForce muestran que en el cuarto trimestre de 2024, Samsung, SK Hynix y Micron representaron el 91,5% de los envíos globales con una participación del 32,6%, 33,2% y 25,7% respectivamente.
A pesar de enfrentar el patrón monopolista de los gigantes internacionales, la industria de almacenamiento nacional todavía disfruta de múltiples beneficios. El gobierno de Estados Unidos ha relajado recientemente las restricciones sobre la Memoria Changxin y la Memoria Yangtze, eliminando algunos obstáculos para que la memoria nacional ingrese a mercados principales como Europa y Estados Unidos. Al mismo tiempo, la retirada gradual de Samsung del antiguo mercado estándar LPDDR también ha creado un valioso espacio de crecimiento para los fabricantes nacionales en los campos de PC y teléfonos inteligentes de nivel básico.
La cuota de mercado global actual de Changxin Memory es de aproximadamente el 10%. A medida que su capacidad de producción continúe expandiéndose, se espera que mejore aún más su posición en el mercado en el futuro.
