SK Hynix demostró la muestra de memoria de alto ancho de banda HBM4E de próxima generación en Computex 2026, centrándose en la plataforma GPU del centro de datos de IA que lanzarán Nvidia, AMD y otros fabricantes. A medida que la escala de los modelos de IA generativa e inferencial continúa expandiéndose, la demanda de la industria de mayor ancho de banda, mayor capacidad y almacenamiento con mayor eficiencia energética continúa aumentando. HBM4E se considera otra evolución importante basada en HBM4.

Según los informes, el chip único HBM4E que se muestra esta vez utiliza un chip de 32 Gb, lo que aumenta la densidad del troquel en aproximadamente un 33% en comparación con el HBM4. En términos de estructura de apilamiento, HBM4E puede alcanzar una capacidad de 48 GB mediante un apilamiento de 12 capas. Hasta ahora era necesario apilar 16 capas para conseguir la misma capacidad. Esto significa que, aunque se mantiene la misma capacidad, se espera que se reduzcan la altura y la complejidad del embalaje, dejando más espacio para el diseño del sistema. En términos de rendimiento, la velocidad de un solo pin del HBM4E puede alcanzar hasta 16 Gbps, que es aproximadamente un 37% más alta que la del HBM4, y su ancho de banda de un solo pin puede alcanzar los 4 TB/s, estableciendo un nuevo ancho de banda alto para este tipo de producto.

Los expertos de la industria señalaron que las GPU de centros de datos de IA de nueva generación, como las series NVIDIA Rubin y AMD MI400, adoptarán sucesivamente las soluciones de memoria HBM4 este año, y HBM4E se considera la dirección de actualización de los productos posteriores. SK hynix mostró muestras de HBM4E en la exposición con antelación, lo que indica su diseño activo en la siguiente etapa de la competencia de HBM. La compañía predice que HBM4E aparecerá por primera vez en la GPU Nvidia Rubin Ultra cuyo lanzamiento está previsto para el próximo año. Las generaciones posteriores de productos pueden utilizar paquetes de alta densidad de múltiples GPU y núcleos HBM4E para aumentar aún más el límite superior de la potencia informática de la IA y el ancho de banda de la memoria.

Desde la perspectiva del camino de evolución tecnológica, HBM4E continúa el pensamiento iterativo de la familia HBM en términos de ancho de banda y eficiencia energética. El HBM3E anterior logró mejoras en el ancho de banda y el consumo de energía de 1,2 TB/s por chip en una configuración de pila de 36 GB y 12 capas, mientras que el HBM4 mejoró aún más la velocidad de pin y el ancho de banda general en una configuración de pila de 48 GB y 16 capas. Los parámetros anunciados actualmente muestran que HBM4E logra mejoras simultáneas en el ancho de banda y la eficiencia del consumo de energía a través de una mayor densidad de un solo núcleo y un diseño de apilamiento de 12 capas con la misma capacidad de 48 GB, lo que ayuda a aliviar los cuellos de botella de la memoria en escenarios de alta carga, como la inferencia y el entrenamiento de IA.

Además de la línea de productos HBM, SK Hynix también reveló su nueva solución NAND apilada "AI-N B" para la era de la IA durante el mismo período de la exposición. Esta solución se basa en la idea de apilamiento de silicio mediante orificio pasante (TSV) de HBM para apilar chips NAND multicapa verticalmente para lograr las capacidades combinadas de "ancho de banda a nivel de HBM y capacidad a nivel de SSD". El objetivo es proporcionar un sistema de almacenamiento de mayor rendimiento para la inferencia de IA a gran escala y, al mismo tiempo, aliviar la presión de la industria causada por la escasez actual de almacenamiento de gran ancho de banda. Esta idea tiene ciertas similitudes con las vías técnicas como HBF y Z-Angle propuestas por otros fabricantes de la industria. Todos están tratando de cerrar la brecha de rendimiento y costos entre la memoria de gran ancho de banda y el almacenamiento de gran capacidad mediante el apilamiento tridimensional y la interconexión de alta velocidad.

En términos de productos del lado del cliente y del terminal, SK Hynix también mostró una serie de nuevos productos para "AI PC", incluidos módulos de memoria LPCAMM2 de 96 GB basados ​​en un proceso de 1 cnm. El módulo adopta el estándar LPDDR5X y tiene una velocidad de transmisión de hasta 9,6 Gbps. Se espera que se lance al mercado a finales de este año con la plataforma AI PC de nueva generación. En el campo del almacenamiento de estado sólido, la empresa exhibió la serie V9 NAND, que está disponible en dos formas de partículas: QLC y TLC. La capacidad de un solo chip puede alcanzar hasta 2 TB y puede empaquetarse en productos cSSD compactos. Se centra en el diseño de miniaturización y la alta eficiencia energética, y adopta una arquitectura sin DRAM para optimizar aún más el costo y el rendimiento del consumo de energía.

En general, desde HBM4E hasta NAND apilado, pasando por LPCAMM2 de alta densidad y SSD NAND V9, SK Hynix demostró su diseño de almacenamiento completo en torno a las dos principales direcciones de aplicación del centro de datos de IA y la PC de IA en este Computex. En el contexto de la explosión simultánea de la potencia informática de la IA y la demanda de almacenamiento, una nueva generación de productos de almacenamiento de alto ancho de banda, alta densidad y bajo consumo de energía se convertirá en un soporte clave para que las GPU y otros chips informáticos liberen rendimiento. La primera aparición pública de la muestra HBM4E también se considera una señal importante para la próxima ronda del concurso tecnológico de HBM.