Resumen:
GlobalFoundries (GF) anunció la ruta de proceso de silicio sobre aislante completamente agotado (FD-SOI) FDX Fusion, con el objetivo de proporcionar chips de bajo consumo y altamente integrados para equipos de "IA física" como robots, automóviles y automatización industrial. La compañía dijo que se espera que la primera generación de FDX Fusion alcance un "rendimiento digital de nivel de 7 nm" y planea comenzar a fabricar en su fábrica de Dresden, Alemania, en 2028.
Esta declaración se refiere al nivel de rendimiento de la lógica digital y no significa que GF haya reanudado el proceso FinFET de 7 nm que se suspendió en 2018, ni puede ser directamente equivalente al nodo de proceso de 7 nm o la densidad de transistores de otras fábricas.
FDX Fusion continúa la ruta FD-SOI de GF. Esta tecnología establece una capa aislante debajo de la capa de silicio y admite el ajuste de polarización inversa, que se puede ajustar entre el consumo de energía y el rendimiento según la carga de trabajo; GF dijo que ayuda a reducir las fugas, optimizar la eficiencia energética y es adecuado para integrar circuitos de radiofrecuencia, analógicos y digitales. También se planea que la nueva plataforma incorpore memoria no volátil integrada, computación en memoria y lógica de alta densidad. Los indicadores anunciados por GF incluyen que el ft/fmax del dispositivo de radiofrecuencia puede alcanzar hasta 0,5 terahercios y que la densidad del proceso FDX de primera generación ha aumentado en más del doble; La empresa aún no ha publicado suficientes datos de diseño detallados para una verificación externa independiente. Los 0,5 terahercios aquí son un indicador del dispositivo de radiofrecuencia, no la frecuencia de funcionamiento del procesador del chip.
GF posiciona este proceso en la IA física, es decir, aplicaciones en las que los dispositivos detectan el entorno localmente, procesan datos y responden de manera oportuna, incluido el razonamiento de borde, la fusión de sensores, la robótica, los equipos de automatización, la electrónica automotriz, los sistemas autónomos y los dispositivos inteligentes conectados. Su diseño no se centra simplemente en conseguir los transistores más pequeños, sino en intentar integrar la detección, la informática, las comunicaciones inalámbricas, el control y el almacenamiento en la misma plataforma para reducir la complejidad, la latencia y el consumo de energía del sistema. GF dijo que ha llevado a cabo evaluaciones iniciales con algunos clientes, pero aún no ha anunciado productos de chips específicos ni pedidos de clientes de producción en masa.
Según la hoja de ruta de la compañía, se espera que el chip de demostración FDX Fusion se entregue a los clientes para su evaluación a principios de 2027, se prevé que la primera versión del kit de diseño de proceso esté disponible a mediados de 2027 y el objetivo de producción en masa es 2028. GF también explicó que el desarrollo del proyecto Dresden FDX Fusion aún depende de si el gobierno federal alemán aprueba el próximo proyecto de tecnología de semiconductores avanzados IPCEI, por lo que la hoja de ruta aún tiene aprobación política. condiciones.
Esta ruta no es la misma que el proyecto que GF suspendió en 2018. En ese momento, la empresa archivó la investigación y el desarrollo de FinFET de 7 nanómetros con el argumento de que concentraría recursos en procesos y mercados más distintivos; El FDX Fusion recientemente anunciado se basa en FD-SOI y se centra en el bajo consumo de energía, la radiofrecuencia y la integración de señales mixtas. GF también está avanzando en un plan de expansión SPRINT de 1.100 millones de euros en Dresde, con el objetivo de aumentar la capacidad de producción anual de la planta a más de 1 millón de obleas de 300 mm para finales de 2028; Esta ampliación de capacidad cubre todo el negocio de la planta, no todo se utiliza para FDX Fusion.
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