Yangtze River Memory demanda a Micron por infracción de patente en los Estados Unidos. Los expertos creen que tiene buenas posibilidades de ganar.

Yangtze Memory, el mayor fabricante de chips de memoria flash de China, demandó a Micron en Estados Unidos por infracción de patente. Yangtze Memory mencionó en la acusación que Micron utilizó la tecnología patentada de Yangtze Memory para resistir la competencia de Yangtze Memory y ganar y proteger participación de mercado. La demanda busca abordar un aspecto del problema: el intento de Micron de sofocar la competencia y la innovación al obligar a Yangtze Memory a salir del mercado 3D NAND Flash (memoria flash).

Se informa que Yangtze Memory acusó a Micron de infringir las patentes estadounidenses números "10.950.623", "11.501.822", "10.658.378", "10.937.806", "10.861.872", "11.468.957", "11.600.342" y "10.868.031".

Los productos acusados ​​de infracción por Micron incluyen productos 3D NAND de 96 capas, 128 capas, 176 capas y 232 capas.

En noviembre del año pasado, TechInsights, una empresa que analiza y rastrea el mercado de memoria flash, concluyó que Yangtze Memory es líder en memoria flash 3D NAND, superando a Micron.

Los expertos pertinentes dijeron que si se sigue la acusación antes mencionada, las patentes de Yangtze Memory casi pueden permitirles ganar la demanda contra Micron. Siempre que el juez no tenga la intención de ser parcial, esto también demuestra directamente el enorme progreso de la memoria de China.