Intel publicó hoy un documento que presenta una serie de avances tecnológicos demostrados en IEDM2024 (Conferencia Internacional de Dispositivos Electrónicos IEEE 2024).En términos de nuevos materiales, la tecnología de interconexión sustractiva de rutenio puede reducir la capacitancia entre líneas hasta en un 25 %, lo que ayuda a mejorar la interconexión dentro del chip.
Intel Foundry también es el primero en demostrar una solución de integración heterogénea para empaquetado avanzado que puede aumentar el rendimiento hasta 100 veces y lograr un ensamblaje ultrarrápido de chip a chip.
Además, Intel Foundry también demostró la tecnología Ribbion FETCMOS (semiconductor de óxido metálico complementario) basada en silicio y módulos de óxido de puerta para encoger transistores de efecto de campo 2D (2DFET) para mejorar el rendimiento del dispositivo.
En términos de tecnología GaN (nitruro de galio) de 300 mm, Intel Foundry también ha seguido avanzando en la investigación y ha fabricado GaNMOSHEMT (transistor de alta movilidad de electrones semiconductor de óxido metálico) en modo de mejora en miniatura de alto rendimiento líder en la industria.
Puede brindar un mayor rendimiento a aplicaciones como dispositivos de energía y dispositivos de radiofrecuencia al reducir la pérdida de señal, mejorar la linealidad de la señal y soluciones de integración avanzadas basadas en el procesamiento posterior del sustrato.
Intel Foundry también cree que los siguientes tres enfoques de innovación clave ayudarán a que la IA se desarrolle en una dirección más eficiente desde el punto de vista energético en la próxima década:
Integración avanzada de memoria para eliminar cuellos de botella de capacidad, ancho de banda y latencia;
Enlace híbrido para optimizar el ancho de banda de interconexión;
Sistemas modulares y soluciones de conexión correspondientes