El alcalde de Moscú, Sergei Sobyanin, anunció públicamente que el Centro de Nanotecnología de Zelenograd de Moscú ha completado la investigación y el desarrollo de la primera máquina de litografía de 350 nm de Rusia y pronto se pondrá en producción en masa.
En mayo de 2024, Rusia reveló que había completado el ensamblaje de su primera máquina de litografía nacional y la estaba probando para producir chips de 350 nm.
Sergey Sobyanin ha publicado la primera fotografía física de una máquina de litografía doméstica rusa de 350 nm.
Enfatizó: "Hay menos de 10 países en el mundo que tienen la capacidad de fabricar este tipo de equipos semiconductores clave, y Rusia se ha convertido en uno de ellos. Este es un paso clave para que Rusia localice la microelectrónica y alcance la independencia tecnológica".
Según sus declaraciones, las máquinas de litografía rusas son completamente diferentes de equipos extranjeros similares. No utilizan lámparas de mercurio como fuente de luz. En su lugar, utilizan por primera vez láseres de estado sólido, que tienen las ventajas de alta potencia, alta eficiencia energética, larga vida útil y espectro concentrado.
Al mismo tiempo, el área de trabajo de la máquina de litografía rusa ha alcanzado los 22x22 mm y puede fabricar obleas con un diámetro máximo de 200 mm.
Vale la pena mencionar que la tecnología de fuente de luz láser DUV desarrollada con éxito por la Academia de Ciencias de China en mi país también se basa completamente en un diseño de estado sólido y se espera que avance al nodo de 3 nm. Sin embargo, actualmente tiene las desventajas de baja potencia y baja frecuencia.
El proceso de 350 nm parece muy atrasado, pero aún puede satisfacer algunas necesidades en los campos de los automóviles, la energía, las comunicaciones y otros campos, y Rusia continúa promoviendo la investigación y el desarrollo de máquinas de litografía de 130 nm, que se espera que estén terminadas el próximo año.
Además, Rusia domina la tecnología de fabricación del proceso de 65 nm, pero depende de equipos importados del extranjero y actualmente se está preparando para la localización de 65 nm.