SKhynix confirmó en una publicación de blog que comenzará a desarrollar la próxima generación de memoria de alto ancho de banda HBM4 en 2024. Hasta ahora, hemos visto a Micron y Samsung enumerar sus productos de memoria HBM4 de próxima generación y al mismo tiempo confirmar este desarrollo. Ambas compañías han destacado los plazos de lanzamiento alrededor de 2025-2026. Según la última confirmación de SKhynix, la compañía también anunció planes para comenzar a producir memorias de gran ancho de banda de próxima generación en 2024.
Al hablar de los productos HBM, el director senior Kim Wang-soo enfatizó que la empresa producirá en masa su propia solución HBM3E en 2024, que es una variante mejorada de la memoria HBM3 existente. La nueva memoria proporcionará mayor velocidad y capacidad. Pero ese mismo año, SKhynix también planea iniciar el desarrollo de la memoria HBM4, lo que marcará un paso importante en la evolución continua de la gama de productos HBM.
La ventaja competitiva continuará el próximo año. Kim Wang-soo, jefe del equipo GSM, dijo: "Con la producción en masa y las ventas de HBM3E previstas para el próximo año, nuestras ventajas en el mercado se maximizarán nuevamente. Como el trabajo de desarrollo del producto sucesor HBM4 también estará en pleno apogeo, el HBM de SKHynix entrará en una nueva etapa el próximo año. Este será un año que vale la pena celebrar para nosotros".
Dado que el desarrollo está programado para 2024, podemos esperar que los productos reales con este módulo de memoria estén disponibles a fines de 2025 o 2026. Una hoja de ruta compartida recientemente por Trendforce predice que las primeras muestras de HBM4 tendrán 36 GB por capacidad de pila, y se espera que JEDEC publique las especificaciones completas alrededor de la segunda mitad de 2024-2025. Se esperan las primeras muestras para los clientes y su disponibilidad en 2026, por lo que todavía queda mucho tiempo antes de que veamos la nueva solución de memoria de gran ancho de banda en acción.
Con una pila de 36 GB, el producto está disponible en capacidades de 288 GB, con capacidades más altas planeadas. La velocidad máxima de la memoria HBM3E ha alcanzado los 9,8 Gbps, por lo que podemos esperar que HBM4 sea el primero en superar la marca de dos dígitos por encima de los 10 Gbps. En cuanto a productos, se espera que Blackwell de NVIDIA utilice módulos de memoria HBM3E, por lo que será el sucesor de Blackwell (posiblemente llamado así en honor a Vera Rubin) o su actualización, como el Hopper H200 (HBM3E), el primero en utilizar HBM4.