Mientras Europa continúa promoviendo la autonomía de la fabricación de semiconductores, apenas una semana después de que la Comisión Europea aprobara la Ley de Chips 2.0, surgieron noticias importantes del campo de los semiconductores: NexiGO, una nueva empresa con sede en Berlín, Alemania, completó con éxito una ronda inicial de financiación de 2 millones de euros. Esta financiación tiene como objetivo proporcionar soporte técnico básico para la nueva generación de vehículos eléctricos y acelerar la transformación de la industria electrónica de energía europea a través de la investigación y el desarrollo de semiconductores de potencia de óxido de galio (Ga₂O₃).
En el contexto de la actual transformación energética, la eficiencia de la carga se ha convertido en un cuello de botella que restringe el desarrollo de los vehículos eléctricos. NexiGO se compromete a superar este problema mediante la tecnología de óxido de galio. Su objetivo es acortar significativamente el tiempo de carga de los vehículos eléctricos desde los 60 minutos promedio que actualmente requiere la tecnología de carburo de silicio (SiC) o nitruro de galio (GaN) a menos de 10 minutos.
Se entiende que NexiGO utilizará obleas epitaxiales de 4 pulgadas para producir semiconductores de óxido de galio. Aunque este tamaño es sólo un tercio del tamaño de las obleas de 12 pulgadas utilizadas en los chips lógicos y de memoria tradicionales, la empresa evalúa que esta escala es suficiente para satisfacer las necesidades de transmisión de energía local en Europa. En la infraestructura eléctrica, equipos como las estaciones de carga requieren semiconductores de banda prohibida ultra ancha que puedan manejar grandes sobretensiones manteniendo pérdidas extremadamente bajas. El óxido de galio tiene una banda prohibida de aproximadamente 4,8 electronvoltios (eV), lo que le otorga importantes ventajas en el manejo de altos voltajes y puede reducir eficazmente las pérdidas durante la transmisión de energía.
En comparación con el material de carburo de silicio convencional actual, la solución de óxido de galio ha logrado un salto cualitativo en rendimiento: su eficiencia energética ha aumentado 10 veces, su capacidad de resistencia a la densidad de voltaje ha aumentado 6 veces y su costo de producción es solo una cuarta parte del primero. Además de las pilas de carga de vehículos eléctricos, NexiGO también ha puesto su mirada en escenarios de aplicaciones de alto rendimiento, como inversores de energía renovable, centros de datos de inteligencia artificial y sistemas de seguimiento de misiles. Como uno de los primeros fabricantes de semiconductores de potencia en responder a la necesidad de la UE de construir una infraestructura tecnológica independiente, la financiación que NexiGO recibió esta vez sin duda ha inyectado un impulso clave a su posterior investigación, desarrollo tecnológico e industrialización.