Resumen:
Se espera que la empresa china de chips de memoria Changxin Memory (CXMT) lance oficialmente la producción en masa de la memoria de gran ancho de banda HBM3E antes de finales de 2026, lo que marca la primera vez que un fabricante chino local ingresa al mercado avanzado de HBM. Este progreso se considera un hito importante para que la cadena industrial de inteligencia artificial de China mejore sus capacidades de suministro independiente.
Según las últimas noticias de la industria, Changxin Storage planea comenzar la producción en masa de HBM3E en los próximos dos meses. En agosto de este año, la empresa inició la producción de prueba de riesgo de HBM3E y proporcionó muestras a algunos clientes. Hoy en día, los productos relacionados avanzan paulatinamente hacia la etapa de comercialización.
HBM es una de las tecnologías de almacenamiento más importantes para los aceleradores de inteligencia artificial, las GPU de centros de datos y los sistemas informáticos de alto rendimiento actuales. Debido a su capacidad para proporcionar un ancho de banda mucho mayor que la DRAM tradicional, HBM se ha convertido en un componente central indispensable para entrenar y ejecutar modelos de inteligencia artificial a gran escala. En la actualidad, el mercado mundial de HBM está controlado principalmente por SK Hynix, Samsung Electronics y Micron.
De acuerdo con los estándares JEDEC, HBM3E adopta un diseño de bus de 1024 bits y la velocidad de transmisión de un solo pin puede alcanzar de 9,2 Gbps a 12,4 Gbps. La configuración principal suele ser de 9,6 Gbps. Su ancho de banda total es de aproximadamente 1,2 TB/s y puede proporcionar configuraciones de capacidad de 24 GB a 36 GB, incluidas dos soluciones principales: apilamiento de 8 capas y apilamiento de 12 capas.
Sin embargo, la producción en masa no es fácil para Changxin Storage. Las noticias de la industria muestran que HBM3E todavía enfrenta desafíos de rendimiento. Dado que HBM utiliza matrices DRAM multicapa para apilarse verticalmente mediante tecnología TSV a través de silicio, que requiere procesos de fabricación y embalaje extremadamente altos, la tasa de rendimiento se ha convertido en un factor importante que restringe la expansión de la capacidad de producción.
Las fuentes revelaron que la tasa de rendimiento general actual de Changxin Storage HBM3E es de alrededor del 20% al 30%, lo que es significativamente más bajo que el nivel de los principales fabricantes internacionales. Entre ellos, la tasa de rendimiento en la etapa inicial de fabricación de obleas es de aproximadamente el 30%. Después de ingresar al paquete final, la tasa de aprobación se puede mejorar aún más en aproximadamente un 70%. Sin embargo, al final, la tasa de rendimiento general todavía tiene mucho margen de mejora.
Los analistas de la industria creen que el mayor desafío técnico para Changxin Storage actualmente proviene de la madurez de la tecnología TSV. En comparación con los fabricantes internacionales, todavía existe una cierta brecha en su proceso de apilamiento. Por ejemplo, Samsung utiliza alrededor de 5.000 conexiones TSV en una sola capa en la era HBM2, mientras que SK Hynix ha superado las 8.000 en productos HBM3. Changxin Memory está intentando utilizar alrededor de 3000 TSV para implementar el diseño HBM3E, que impone mayores requisitos en cuanto a precisión y confiabilidad de fabricación.
Limitado por factores técnicos relevantes, se espera que Changxin Storage se centre en productos HBM3E apilados de 8 capas en el corto plazo y no avance rápidamente a productos apilados de 12 capas con mayor capacidad por el momento.
Al mismo tiempo, varias agencias de noticias revelaron que Changxin Memory ha proporcionado dos versiones de muestras de HBM3E a empresas nacionales de chips de IA, incluida una versión estándar y una nueva versión optimizada para el rendimiento. Actualmente se están probando y verificando muestras relevantes por parte del cliente.
En términos de rendimiento, las pruebas preliminares muestran que el rendimiento general de los productos HBM3E actuales de Changxin Storage está más cerca del HBM3 de la generación anterior de SK Hynix, pero todavía existe una brecha en comparación con los productos HBM3E internacionalmente avanzados. Sin embargo, expertos de la industria señalaron que para los fabricantes que acaban de entrar en el camino de HBM, lograr la producción en masa es un gran avance.
Los analistas creen que incluso si la tasa de rendimiento actual no es alta, Changxin Storage todavía tiene la motivación para continuar promoviendo la producción en masa. A medida que la demanda de memoria de gran ancho de banda de los fabricantes chinos de chips de IA crece rápidamente, la importancia de las fuentes de suministro locales de HBM sigue aumentando. Ante la escasez de oferta de almacenamiento avanzado de IA y la presión ejercida por las restricciones a las importaciones, existe una demanda obvia de productos HBM en el mercado interno.
El mercado ha experimentado recientemente un aumento en los precios de los chips de IA, y el suministro de memoria de gran ancho de banda se considera generalmente como una de las razones importantes. Las empresas de chips, incluidas Alibaba Pingtouge y Cambrian, han estado expuestas anteriormente a probar soluciones nacionales de HBM con la esperanza de reducir su dependencia de las cadenas de suministro extranjeras.
La industria predice que si la verificación del cliente se realiza sin problemas, se espera que los productos aceleradores de IA nacionales que utilizan Changxin Storage HBM3E ingresen al mercado tan pronto como 2027. Aunque todavía existe una brecha tecnológica de una o dos generaciones en comparación con los principales fabricantes del mundo, la entrada de Changxin Storage en el campo de HBM significa que el ecosistema de hardware de IA local de China está completando piezas clave del rompecabezas y está comenzando a desafiar el mercado de almacenamiento de IA de alta gama.
Comentarios