Resumen:
Se dice que la nueva generación de memoria de alto ancho de banda HBM4E de 12 capas de Samsung Electronics ha pasado la verificación de calidad del cliente por parte de NVIDIA y varios grandes proveedores de servicios en la nube. La "Economía de Corea" de Corea del Sur informó que el departamento de memoria de Samsung completó las pruebas relevantes a fines de septiembre; sin embargo, pasar la prueba no significa que se haya firmado un contrato de suministro y que aún no se hayan confirmado la cantidad del pedido, el monto del contrato y el tiempo de suministro de producción en masa respectivos del cliente. Samsung dijo que no podía confirmar la noticia de la verificación.
En consecuencia, TechPowerUp vinculó el informe con el acelerador Rubin Ultra de próxima generación de NVIDIA, pero el informe coreano original solo mencionó a NVIDIA y los principales clientes de centros de datos a hiperescala, y no dijo explícitamente que la prueba estaba dirigida a Rubin Ultra. Los datos de la GPU Rubin actualmente revelados de NVIDIA confirman que utiliza HBM4, con una configuración máxima de 288 GB y un ancho de banda de hasta 22 TB/s; Los detalles del pedido o la certificación de Rubin Ultra con Samsung HBM4E aún no se han anunciado, por lo que la correspondencia entre los dos sigue siendo una especulación.
La muestra HBM4E anunciada por Samsung en mayo es una pila de 12 capas con una sola pila de 48 GB. La velocidad del pin estándar es de 14 Gbps y se puede ampliar a 16 Gbps. Según los datos publicados por Samsung, el ancho de banda de una sola pila puede alcanzar hasta 3,6 TB/s, y el ancho de banda teórico es de aproximadamente 4 TB/s en el límite superior de 16 Gbps. La compañía también planea ampliar la versión de 32 GB de 8 capas y la versión de 64 GB de 16 capas según la demanda de los clientes, pero estas especificaciones no significan que los productos correspondientes se hayan producido en masa.
Samsung dijo que HBM4E utiliza el proceso DRAM de 10 nanómetros (1c) de sexta generación y su propio chip base lógico de 4 nanómetros; En comparación con la generación anterior, el diseño de bajo consumo y la optimización del embalaje mejoran la eficiencia energética en un 16 % y reducen la resistencia térmica en más de un 14 %. La compañía envió muestras de 12 capas a los principales clientes en mayo de este año y afirmó que la producción en masa se coordinará con los cronogramas de los clientes; esto es diferente del progreso de verificación del cliente. En este momento, todavía no es posible concluir que Samsung haya obtenido un pedido de suministro de producción en masa de Nvidia.
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