Resumen:
MemSilicon anunció la finalización de la grabación del chip RRAM de gran capacidad y alta densidad de primera generación "MountTai 2026" basado en la ruta tecnológica 1TnR.
Se informa que "Taishan No. 1" es un hito en el avance de MemSilicon de la nueva tecnología de chip de memoria de alta densidad y gran capacidad 1TnR desde las primeras investigaciones hasta la comercialización de chips de nivel Gb. Esta ruta técnica aumenta la capacidad de almacenamiento por unidad de área al compartir transistores seleccionados con múltiples celdas de memoria de conmutación resistiva y utiliza un método de integración de back-end que es totalmente compatible con la plataforma CMOS para lograr densidad, capacidad y costo.
El chip utiliza una plataforma de proceso CMOS de 28 nm y una estructura de unidad 1T4R, con una capacidad de chip único de 1 Gb, una densidad de 30 Mb/mm², un retardo de acceso de menos de 20 ns y un circuito de corrección de errores de hardware integrado en el chip. Logra un avance colaborativo entre gran capacidad, alta densidad y lectura de alta velocidad, y proporciona una solución competitiva a nivel internacional para nuevas aplicaciones de almacenamiento no volátil de alta densidad y gran capacidad en chip.
En la actualidad, "Taishan No. 1" ha completado la grabación y está avanzando en la verificación.
"Taishan No. 1" adopta una estructura 1T4R, es decir, un transistor de selección corresponde a cuatro celdas de memoria de conmutación resistiva. Pero compartir transistores no significa que la densidad y el rendimiento del número de celdas de memoria aumenten proporcionalmente. Las rutas de corriente no objetivo entre múltiples celdas de memoria, las interferencias de lectura y escritura y la confiabilidad bajo diferentes condiciones operativas requieren una optimización conjunta de dispositivos, procesos y diseños de circuitos.
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