Resumen:
El 21 de octubre, Reuters informó que Samsung Electronics y SK Hynix están modernizando sus fábricas chinas para producir chips de memoria flash más avanzados para defenderse de la competencia de rivales chinos de rápido crecimiento y satisfacer la enorme demanda de IA, dijeron cuatro personas familiarizadas con el asunto.

SK Hynix
Desde que Estados Unidos comenzó a implementar controles de exportación en algunos equipos de fabricación de chips en 2022, los obstáculos regulatorios han limitado la capacidad de las dos empresas para modernizar las fábricas y también han provocado que su participación de mercado se vea erosionada por la Memoria del Yangtze. Las dos empresas ahora deben solicitar licencias de Estados Unidos cada año si quieren instalar equipos fabricados en Estados Unidos, como máquinas de grabado, en fábricas de China. Yangtze Memory ha avanzado mucho en un momento en el que Samsung y SK Hynix han luchado por determinar cuánto deberían invertir en fábricas en China.
Los datos de la firma de investigación Omdia muestran que
La memoria Yangtze representó el 38,5 % del mercado NAND de China en el segundo trimestre, frente al 28 % de todo 2025 y superando a Samsung
. En comparación, la cuota de Samsung ha caído del36% al 33,5%
, la participación de SK Hynix cayó del20% al 17%
.Samsung y SK Hynix confirmaron en declaraciones a Reuters que la actualización estaba en marcha y en estrecha consulta con Washington, pero no revelaron detalles del plan de producción.
Sin embargo, Reuters no pudo determinar cuántas licencias de exportación habían aprobado las autoridades estadounidenses para los equipos necesarios para los planes de actualización de Samsung y SK Hynix.
Según personas familiarizadas con el asunto, las dos empresas están trabajando arduamente para producir chips de memoria flash NAND con más de 200 capas en fábricas chinas para alinear sus niveles de producción con los de las fábricas de Corea del Sur. NAND es un chip de memoria que puede retener datos incluso después de un corte de energía. Se utiliza ampliamente en unidades de estado sólido utilizadas en teléfonos inteligentes, computadoras personales y centros de datos de inteligencia artificial. Cuantas más capas tenga un único chip, mayor será la densidad de almacenamiento y menor el coste.
La fábrica de Samsung en Xi'an, noroeste de China, produce actualmente alrededor de 200 capas de chips, dijeron dos personas familiarizadas con el asunto. La producción de la fábrica representa aproximadamente el 40% de la producción total global de memoria flash NAND de Samsung. Samsung está avanzando con un proyecto cuyo nombre en código interno es "Monami". El nombre es de origen francés y significa "mi amigo". Como parte de este proyecto, Samsung está transformando esta fábrica para producir chips de memoria flash NAND V9 de 286 capas, con el objetivo de lograr una producción mensual de 5.000 obleas en diciembre de este año y aumentar significativamente la producción mensual a 40.000 obleas en diciembre de 2027.
Samsung dijo que la actualización cumplía con las regulaciones de control de exportaciones de EE. UU. "Esta actualización está diseñada para satisfacer las crecientes necesidades de los clientes globales, incluidos los clientes estadounidenses. La empresa no ha ampliado su capacidad de producción ni ha construido nuevas instalaciones de fabricación".
SK Hynix planea trasladar su fábrica en Dalian, noreste de China, para producir productos de memoria flash NAND con 240 capas o más, dijeron tres personas familiarizadas con el asunto. La fábrica produce actualmente productos de 192 capas. La compañía puede producir chips con hasta 240 capas en Dalian y puede buscar la aprobación de Washington para desarrollar chips con más de 300 capas localmente, dijeron personas familiarizadas con el asunto, lo que le ayudaría a sentar las bases para una posible producción futura en Estados Unidos. La compañía está en conversaciones con la administración Trump sobre planes para construir una nueva fábrica NAND en Estados Unidos.
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