Resumen:
YMTC, el mayor fabricante de memoria flash NAND de China, está aumentando aún más la proporción de equipos de producción de semiconductores localizados. Reuters informó el 6 de noviembre, citando a dos personas familiarizadas con el asunto, que Yangtze Memory planea aumentar la proporción de adquisición de equipos nacionales al menos al 60% en la cuarta fábrica de obleas construida en Wuhan, con el objetivo de llegar incluso al 70%. Esta cifra será claramente superior a la proporción actual de equipos domésticos de algo más del 50% en la tercera fábrica de la empresa.
Este plan no solo refleja la aceleración del proceso de localización de la propia cadena de suministro de Yangtze Memory, sino que también significa que se espera que las empresas chinas de equipos semiconductores obtengan más oportunidades para ingresar a líneas de producción de chips de memoria avanzadas.
Según personas familiarizadas con el asunto, se espera que la cuarta fábrica de Yangtze Memory comience a construirse en 2027, y la ubicación todavía está en Wuhan, donde tiene su sede la empresa. En la actualidad, la empresa ha iniciado conversaciones preliminares con algunos proveedores de equipos nacionales, pero aún no ha emitido formalmente órdenes de compra de equipos. Por lo tanto, la proporción de equipamiento doméstico y el progreso de la construcción aún pueden cambiar.
El posicionamiento tecnológico de esta nueva fábrica es bastante claro: producir chips de memoria flash NAND avanzados con más de 300 capas apiladas verticalmente. A medida que las celdas de memoria continúan aumentando en dirección vertical, se pueden acomodar más datos de almacenamiento por unidad de área de chip, aumentando así la densidad de almacenamiento. Estos productos NAND de alta capacidad son particularmente importantes para centros de datos, servidores de inteligencia artificial y dispositivos de almacenamiento de clase empresarial.
Yangtze Memory planea centrar la producción de su cuarta fábrica en chips de memoria necesarios para centros de datos y aplicaciones de inteligencia artificial. A medida que la escala de los modelos de IA continúa expandiéndose, los datos de entrenamiento, los parámetros del modelo y los datos generados durante el proceso de inferencia requieren una gran cantidad de dispositivos de almacenamiento de alta velocidad y gran capacidad, y la importancia de la memoria flash NAND a nivel empresarial también ha aumentado.
Si la cuarta fábrica finalmente logra la producción en masa de más de 300 capas de NAND, la competitividad tecnológica de Yangtze Memory en el mercado chino mejorará aún más. Reuters señaló que este objetivo puede incluso permitirle tener más capas de tecnología de producción en China que algunos competidores extranjeros.
A modo de comparación, Samsung Electronics está cambiando su fábrica de Xi'an para producir memoria flash NAND de 286 capas, mientras que SK Hynix planea actualizar su fábrica de Dalian a más de 240 capas, un aumento con respecto a las 192 capas anteriores. Dado que los controles de exportación de Estados Unidos restringen la entrada de algunos equipos de fabricación de semiconductores avanzados a China, las dos empresas surcoreanas también enfrentan restricciones adicionales sobre la expansión de la producción a gran escala y las actualizaciones tecnológicas en las fábricas chinas.
La posición actual de Yangtze Memory en el mercado de memoria flash NAND de China está mejorando rápidamente. Los datos de la organización de investigación de mercado Omdia muestran que en el segundo trimestre de 2026, la participación de Yangtze Memory en el mercado NAND de China alcanzó el 38,5%, más que el 28% en 2025, y superó a Samsung Electronics para convertirse en el fabricante de NAND con la mayor participación de mercado en China.
El objetivo de localización de equipos de la cuarta fábrica también brindará importantes oportunidades a los fabricantes chinos de equipos de semiconductores.
Fuentes informadas dijeron que se espera que los nuevos pedidos de equipos nacionales se concentren principalmente en eslabones de producción como limpieza, pulido y grabado de obleas. Estos procesos son pasos básicos indispensables en el proceso de fabricación de memoria flash NAND. Los proveedores de equipos chinos han acumulado mucha experiencia en aplicaciones en las líneas de producción existentes de Yangtze Memory.
Entre ellos, se considera que Northern Huachuang y China Microelectronics probablemente se beneficiarán de los nuevos pedidos. Las dos compañías tienen respectivamente una distribución de productos relativamente extensa en el campo de equipos de fabricación de semiconductores, especialmente en las áreas de grabado, deposición de películas delgadas y equipos de proceso relacionados, y continúan promoviendo la investigación y el desarrollo tecnológico.
De hecho, Yangtze Storage ha logrado un alto grado de sustitución de equipos nacionales en algunos eslabones de producción. Actualmente, los proveedores nacionales pueden proporcionar la mayoría de los equipos de limpieza y pulido necesarios para sus líneas de producción y han logrado avances en los equipos de proceso de estructura vertical profunda necesarios para fabricar chips NAND avanzados.
Sin embargo, la localización no significa que Yangtze Storage se haya librado por completo de su dependencia de equipos extranjeros. Para algunos eslabones de fabricación técnicamente más difíciles, las empresas todavía necesitan utilizar equipos avanzados proporcionados por proveedores extranjeros, especialmente en fotolitografía, inspección y otros procesos de fabricación complejos.
Estos enlaces implican umbrales técnicos extremadamente altos. El equipo no sólo debe tener capacidades de procesamiento de precisión, sino que también debe cumplir con la estabilidad y el rendimiento necesarios para la producción en masa a gran escala de chips de memoria avanzados. Incluso si los equipos nacionales pueden completar algunos procesos, eso no significa que puedan reemplazar inmediatamente por completo a los productos extranjeros en todos los procesos avanzados.
EE.UU. Los controles de exportación son un factor importante para que Yangtze Storage acelere la sustitución de equipos nacionales. El Departamento de Comercio de EE. UU. agregó Yangtze Storage a la Lista de Entidades en diciembre de 2022, imponiendo requisitos de licencia a los proveedores estadounidenses que le venden tecnologías y equipos específicos.
Al mismo tiempo, las fábricas operadas por Samsung y SK Hynix en China también se ven afectadas por los controles de exportación de Estados Unidos y requieren autorizaciones pertinentes cada año para introducir equipos semiconductores fabricados en Estados Unidos en las fábricas chinas. El gobierno de Estados Unidos también ha declarado anteriormente que no tiene intención de aprobar la exportación de equipos que permitirían a estas empresas ampliar significativamente la capacidad de producción o llevar a cabo importantes actualizaciones tecnológicas en China.
En este contexto, el aumento de la proporción de equipos nacionales de Yangtze Storage no es solo una necesidad para la independencia de la cadena de suministro, sino también un acuerdo importante para garantizar que las fábricas avanzadas puedan continuar expandiendo la producción en el futuro.
Vale la pena señalar que la cuarta fábrica no es todos los planes de expansión futuros de Yangtze Memory. Reuters informó anteriormente en abril de este año que la compañía planeaba construir dos fábricas más en Wuhan, elevando su número total a cinco.
Según información proporcionada por personas familiarizadas con el asunto, se espera que la tercera, cuarta y quinta fábrica puedan procesar cada una aproximadamente 100.000 obleas de silicio por mes una vez que estén completamente operativas. Las tres fábricas combinadas darán a Yangtze Memory más del doble de su capacidad de fabricación actual.
Esto significa que Yangtze Memory está avanzando en dos rutas estratégicas al mismo tiempo: por un lado, está ampliando la capacidad de producción de memoria flash NAND mediante la construcción de nuevas fábricas; por otro lado, está reduciendo el impacto de las restricciones tecnológicas extranjeras sobre la producción y la expansión al aumentar la proporción de la adquisición de equipos nacionales.
Sin embargo, la cuarta fábrica aún se encuentra en la etapa de planificación y contacto con proveedores. El tiempo real de producción en masa de más de 300 capas de NAND, la proporción de equipos localizados y el rendimiento de producción final aún deben verificarse más adelante.
Desde una perspectiva industrial, la importancia de este plan va más allá del propio almacenamiento del río Yangtze. En el pasado, las empresas chinas de equipos de semiconductores ampliaron su participación de mercado principalmente en procesos maduros y algunos enlaces de fabricación básicos, mientras que Yangtze Memory está tratando de introducir más equipos nacionales en líneas de producción avanzadas de 3D NAND. Si estos dispositivos pueden funcionar de manera estable en la producción en masa a gran escala, brindarán importantes oportunidades de verificación para que los equipos semiconductores nacionales ingresen a campos de aplicación con umbrales técnicos más altos.
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