Resumen:
La industria china de chips de memoria está marcando el comienzo de una nueva etapa de competencia. Changxin Memory (CXMT) y Yangtze Memory Technology (YMTC), dos empresas líderes que han estado profundamente involucradas en diferentes mercados durante mucho tiempo, están acelerando su entrada en las áreas comerciales principales de la otra. Poco a poco se está desarrollando una competencia frontal en torno a los dos principales mercados de DRAM y NAND.
En los últimos años, las dos empresas han mantenido una división relativamente clara del trabajo en el mercado. Changxin Memory se centra principalmente en chips de memoria DRAM, mientras que Yangtze Memory se centra en productos de memoria flash NAND. A medida que la ola de inteligencia artificial remodela la cadena de suministro global de semiconductores, esta frontera comercial se está rompiendo.
Según fuentes de la cadena industrial, Yangtze Memory se está preparando para ingresar al mercado de DRAM. Se espera que la nueva línea de producción de la compañía en la tercera fase del proyecto comience la producción de prueba a finales de 2026, centrándose inicialmente en productos de memoria LPDDR5 de bajo consumo. Como etapa importante antes de la producción en masa formal, la producción de prueba se utiliza principalmente para la depuración de equipos, la optimización de procesos y la mejora del rendimiento.
Según el plan actual, se espera que la capacidad de producción inicial de DRAM de Yangtze Memory sea de aproximadamente 25.000 obleas por mes. Aunque esta escala todavía está muy por detrás de gigantes internacionales como Samsung, SK Hynix o Micron, se trata de un cambio estratégico importante para Yangtze Memory, que lleva mucho tiempo centrándose en el negocio NAND.
Al mismo tiempo, Changxin Memory también está buscando oportunidades para expandirse al campo NAND.
Las fuentes dijeron que Changxin Memory está planeando un nuevo proyecto de producción de prueba y I+D de NAND en Beijing y estableciendo instituciones de investigación relevantes para promover el desarrollo de la tecnología NAND. Algunos clientes potenciales ya han comenzado a ponerse en contacto con Changxin, incluidas empresas emergentes que desean utilizar sus productos de memoria flash para sistemas de inteligencia artificial y soluciones de almacenamiento de supercomputadoras.
En los últimos años, la demanda de servidores de inteligencia artificial ha aumentado, lo que no solo ha promovido la prosperidad continua de los mercados de HBM y DRAM, sino que también ha impulsado el crecimiento de la demanda de memoria flash NAND. A medida que una gran cantidad de tareas de inferencia y entrenamiento de modelos de IA generan cantidades masivas de datos, la demanda de SSD y dispositivos de almacenamiento de alta capacidad en los centros de datos continúa aumentando, rompiendo el equilibrio entre oferta y demanda del mercado de almacenamiento tradicional.
Los datos de la industria muestran que para satisfacer las necesidades del mercado de IA, los principales fabricantes de almacenamiento del mundo han trasladado más capacidad de producción a productos DRAM y HBM de alta rentabilidad, lo que ha provocado una desaceleración en el crecimiento de la oferta de NAND y, a su vez, ha hecho subir los precios del mercado. En este contexto, entrar en el mercado NAND parece más atractivo para Changxin.
Sin embargo, en comparación con Yangtze Memory, que tiene un calendario más claro para ingresar al mercado de DRAM, el plan NAND de Changxin aún se encuentra en una etapa anterior. No está claro cuándo entrará en producción en masa. La industria predice que las líneas de producción pertinentes podrían ponerse oficialmente en funcionamiento ya entre 2028 y 2029.
Para ambas empresas, además de las cuestiones técnicas, los derechos de propiedad intelectual también pueden convertirse en un foco importante de competencia futura.
Los expertos de la industria señalaron que a medida que ambas partes ingresan en las áreas tradicionales de fortaleza de la otra, el diseño de patentes, las licencias de tecnología y la competencia por talentos de ingeniería pueden convertirse en nuevos puntos de fricción. Especialmente en el contexto del rápido desarrollo de la industria de almacenamiento de China, ambas empresas necesitan atraer una gran cantidad de personal de I+D y producción con experiencia relevante.
Según los informes, Changxin está actualmente reclutando activamente talentos técnicos y de ingeniería que han trabajado en Yangtze Memory para acelerar el proceso de investigación y desarrollo de NAND. A medida que Yangtze Memory avance en su proyecto DRAM, la competencia entre las dos partes en el mercado de recursos humanos puede intensificarse aún más en el futuro.
Además, los controles de exportación de Estados Unidos seguirán afectando el camino de desarrollo futuro de las empresas chinas. Para Changxin, el campo NAND depende particularmente de la tecnología avanzada de apilamiento 3D NAND y todavía es difícil obtener equipos y tecnología relacionados. Por lo tanto, cómo completar avances tecnológicos en condiciones restringidas se convertirá en un factor importante para determinar si se puede implementar su plan de expansión.
Los analistas creen que Changxin y Yangtze Memory solían representar los dos principales campos de DRAM y NAND de China, respectivamente, pero ahora ambas partes han comenzado a extender sus negocios a todas las categorías de almacenamiento, lo que significa que la industria de almacenamiento de China está entrando en una nueva etapa de integración y competencia.
En el contexto del crecimiento continuo de la demanda global de potencia informática de IA, tanto DRAM como NAND se han convertido en recursos estratégicos centrales. A medida que los dos gigantes chinos del almacenamiento avanzan gradualmente hacia una competencia frontal, comienza silenciosamente una batalla por los chips de memoria en torno a la tecnología, la capacidad de producción, el talento y la participación de mercado.
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