Resumen:
El fabricante chino de chips de memoria DRAM Changxin Memory (CXMT) anunció que su plataforma de tecnología DRAM de quinta generación ha entrado oficialmente en la etapa de producción en masa. Este progreso se considera un hito importante en el desarrollo de la industria de almacenamiento de China y también significa que Changxin Storage está reduciendo aún más la brecha tecnológica con los principales fabricantes mundiales como Samsung Electronics, SK Hynix y Micron.
DRAM es la memoria de trabajo central que requieren los dispositivos electrónicos como teléfonos inteligentes, computadoras personales y servidores para ejecutar aplicaciones. En los últimos años, a medida que la inteligencia artificial, la informática de alto rendimiento y el rendimiento de los terminales móviles continúan mejorando, la demanda del mercado global de productos DRAM avanzados continúa creciendo.
Según la información publicada por Changxin Memory, el objetivo de la plataforma tecnológica de quinta generación es crear productos de memoria con mayor rendimiento y mayor capacidad, al tiempo que se reduce el consumo de energía y los costos de producción. La compañía afirmó que la nueva plataforma proporcionará a los fabricantes de productos electrónicos terminales más fuentes de suministro de chips de memoria y mejorará la flexibilidad de suministro de la cadena industrial.
Como el mayor fabricante de DRAM de China, Changxin Memory se centra esta vez en aumentar la densidad de las celdas de memoria. Al reducir aún más las pequeñas estructuras responsables del almacenamiento de datos y aumentar el nivel de integración, la nueva plataforma puede acomodar más celdas de memoria en la misma área y aumentar la cantidad de chips que se pueden cortar de una sola oblea, mejorando así la eficiencia general de la producción.
Changxin Storage reveló que la nueva plataforma ha reducido el paso estructural clave de la matriz de almacenamiento a 11,95 nanómetros, lo que equivale aproximadamente a 12 milmillonésimas de metro. Para lograr este objetivo, la empresa utiliza un proceso de creación de patrones cuádruple, que rompe las limitaciones del proceso tradicional al realizar repetidamente múltiples pasos de fabricación para formar estructuras de circuitos más refinadas.
Durante la Conferencia Mundial de Fabricación 2026 celebrada en Hefei, Anhui, Luo Xiaodong, director del Centro de Mercado de Almacenamiento de Changxin, dijo que las capacidades de proceso de la compañía han alcanzado el mismo nivel que las plataformas de almacenamiento producidas en masa más avanzadas del mundo.
Con la producción en masa de la nueva plataforma, Changxin Memory también lanzó dos chips de memoria móvil LPDDR5X de 24 Gb basados en la plataforma de quinta generación. LPDDR5X es un estándar DRAM de bajo consumo que se utiliza principalmente en dispositivos móviles como teléfonos inteligentes y tabletas.
La capacidad del nuevo producto es un 50% mayor que la de la generación anterior de productos similares y ha entrado en la etapa de producción en masa. De acuerdo con las diferentes necesidades del producto final, los dos productos ofrecen diferentes formas de empaque para que sean adecuados para el diseño de teléfonos inteligentes y diversos dispositivos electrónicos portátiles.
Además de aumentar la capacidad de un solo chip, la nueva plataforma también mejora significativamente la eficiencia de fabricación. Changxin Memory afirmó que cuando se utilizan productos de 8 Gb como punto de referencia, la cantidad de chips que la plataforma de quinta generación puede producir por oblea es al menos un 50% mayor que la de la plataforma de cuarta generación.
Este indicador no representa el rendimiento final, sino que se refiere al número total de chips que teóricamente se pueden cortar de una sola oblea antes de eliminar los chips defectuosos. Sin embargo, para la industria de la memoria, mejorar la utilización de las obleas sigue siendo una forma importante de reducir costos y mejorar la competitividad.
La compañía también reveló que la tecnología de simulación por computadora se utilizó ampliamente en el proceso de desarrollo de la plataforma de quinta generación, y que se llevó a cabo un desarrollo conjunto con fabricantes locales chinos de equipos semiconductores en eslabones de fabricación clave. La cooperación relevante ha ayudado a Changxin Storage a establecer gradualmente un sistema de cadena de suministro nacional más completo y reducir su dependencia de la tecnología externa.
Este desarrollo tecnológico también llega en un momento en el que la competencia en la industria del almacenamiento global continúa intensificándose. Con la rápida expansión de la industria de la inteligencia artificial, la demanda de memoria de alto rendimiento se ha disparado y los principales fabricantes de almacenamiento a nivel mundial han aumentado la inversión en productos avanzados DRAM y HBM.
Para China, la entrada en la producción en masa de la plataforma de quinta generación de Changxin Storage no solo significa una mejora adicional en las capacidades técnicas, sino que también representa que la industria de almacenamiento local continúa avanzando hacia nodos de proceso más avanzados. En el futuro, a medida que los productos de almacenamiento móvil de nueva generación ingresen gradualmente al mercado, se espera que la competencia entre Changxin Storage y los principales fabricantes internacionales se intensifique aún más.
En el contexto del panorama en constante cambio de la industria del almacenamiento global, la producción en masa oficial de la plataforma DRAM de quinta generación se considera otro nodo importante en el desarrollo de Changxin Memory. También añade una nueva influencia para que la industria de semiconductores de China mejore sus capacidades de suministro independiente.
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