Resumen:
El fabricante chino de chips de memoria flash Yangtze Memory Technology Co., Ltd. (YMTC) está ampliando su diseño tecnológico de la memoria flash NAND a la memoria DRAM. Según información revelada recientemente por Counterpoint Research, Yangtze Memory está desarrollando productos de memoria de bajo consumo con una velocidad de transmisión de datos de 9600 MT/s y planea promover la producción en masa en su tercera fábrica de obleas en Wuhan. Esto significa que Yangtze Memory está intentando ingresar al mercado de DRAM que durante mucho tiempo ha estado dominado por Samsung, SK Hynix, Micron y otras empresas.
Según un informe de Counterpoint Research, Yangtze Memory ha estado desarrollando y probando memoria LPDDR5 de 16 Gb de segunda generación en su segunda fábrica de obleas desde octubre de 2025. La velocidad de transmisión de datos objetivo es de 7500 MT/s y la capacidad de producción mensual de las líneas de producción relevantes es de aproximadamente 5000 obleas. Sin embargo, este proyecto aún se encuentra en las etapas de investigación, desarrollo y prueba, y el informe no indica que el producto haya entrado en producción comercial a gran escala.
Sobre esta base, Yangtze Storage también está desarrollando una versión de mayor velocidad de 9600 MT/s. A diferencia del proyecto de I+D de la generación anterior, la nueva solución prevé utilizar transistores de canal vertical (VCT) y una arquitectura de celda de memoria 4F², y pretende promover la producción en masa en la tercera fábrica de obleas. Cabe señalar que la información existente describe los objetivos de I+D y los planes de producción futuros, y no confirma que el producto de 9600 MT/s haya completado la verificación o haya entrado oficialmente en producción en masa.
La clave de esta ruta técnica es cómo reducir aún más el área ocupada por las celdas de almacenamiento DRAM. La DRAM tradicional suele adoptar un diseño de celda de memoria de 6F², donde F representa el tamaño mínimo de característica en el diseño de procesos. La arquitectura 4F² intenta reducir el área plana ocupada por cada unidad de memoria mediante la disposición vertical de transistores y otras estructuras, aumentando así la capacidad de almacenamiento que se puede integrar por unidad de área de chip.
Si la arquitectura 4F² puede lograr una fabricación estable bajo procesos avanzados, teóricamente habrá una oportunidad de aumentar la densidad de integración de los chips DRAM y crear espacio para reducir los costos de capacidad unitaria. Sin embargo, esta arquitectura también enfrenta desafíos en la estructura del transistor, el proceso de fabricación, el control de fugas, la confiabilidad y el rendimiento. Incluso si un prototipo de laboratorio puede alcanzar la velocidad objetivo, eso no significa que tenga el rendimiento integral necesario para la producción comercial a gran escala.
La elección de Yangtze Storage en esta dirección está relacionada con su acumulación de tecnología existente. La empresa es famosa por su negocio de memoria flash NAND. Su tecnología Xtacking mejora la flexibilidad del diseño y la fabricación de la memoria flash al fabricar la matriz de almacenamiento y los circuitos periféricos por separado y luego integrarlos mediante unión. Counterpoint Research cree que Yangtze Memory está tratando de extender la experiencia técnica relevante al campo DRAM. Sin embargo, existen diferencias obvias en la estructura de la unidad de almacenamiento, el mecanismo de trabajo y los requisitos de fabricación entre NAND y DRAM. No se puede simplemente creer que el éxito en el campo de la memoria flash pueda copiarse directamente al mercado de la memoria.
Vale la pena señalar que Yangtze Storage no es el único fabricante de almacenamiento chino que prueba la arquitectura 4F². Otro fabricante de DRAM, Changxin Memory (CXMT), también está explorando esta ruta tecnológica y planea lanzar módulos de memoria dual en línea registrados DDR5 basados en la arquitectura 4F² para fines de 2026. Sin embargo, el plan también enfrenta incertidumbres en la verificación técnica y la viabilidad de la producción en masa.
Los gigantes internacionales del almacenamiento se muestran cautelosos sobre las perspectivas de la arquitectura 4F². Micron Technology ya ha cuestionado públicamente los problemas fundamentales de una mayor reducción de esta estructura de unidades de memoria, creyendo que todavía existen obstáculos técnicos insuperables para su aplicación a gran escala. Esto refleja que la industria actual de DRAM aún no ha llegado a un juicio unánime sobre la ruta técnica de la arquitectura de celdas de memoria de próxima generación. Queda por verificar mediante productos posteriores y datos de fabricación si Yangtze Storage y Changxin Storage pueden resolver estos problemas a través de diferentes diseños de ingeniería.
Al mismo tiempo, el momento de la entrada de Yangtze Memory en el mercado de DRAM también está relacionado con los cambios en la oferta y la demanda en la industria del almacenamiento global. La rápida expansión de los centros de datos de inteligencia artificial ha impulsado el crecimiento de la demanda de memoria de gran ancho de banda, DRAM para servidores y unidades de estado sólido. Samsung, SK Hynix y Micron están invirtiendo muchos recursos en productos de almacenamiento relacionados con la inteligencia artificial, y la memoria utilizada en computadoras y teléfonos inteligentes comunes también se ve afectada por los cambios en la estructura de suministro. Para los fabricantes chinos, si pueden lanzar de manera constante productos DRAM con un rendimiento calificado y un costo competitivo, tendrán la oportunidad de aumentar la participación de mercado de la memoria nacional.
Sin embargo, el impacto de este plan de investigación y desarrollo en el mercado mundial de la memoria no puede subestimarse a corto plazo. Counterpoint Research señaló que el progreso de la investigación y el desarrollo de los productos de 9600 MT/s de Yangtze Memory, el estado de verificación del cliente y el estado de ejecución de la producción en masa de la tercera fábrica de obleas son indicadores que deben observarse de cerca en el futuro. Actualmente no hay información pública suficiente para demostrar que el producto ha alcanzado el rendimiento objetivo y no hay un cronograma claro de producción en masa, datos de producción o información sobre el rendimiento de fabricación.
Además, 9600 MT/s es sólo uno de los indicadores de velocidad de transferencia de datos y no puede determinar por sí solo la competitividad general de los productos de memoria. Para memorias de bajo consumo como LPDDR5X, el consumo de energía, la disipación de calor, la estabilidad, la capacidad, el esquema de empaquetado, la compatibilidad y el costo son igualmente importantes. Incluso si Yangtze Memory eventualmente puede alcanzar esta velocidad, aún necesitará ser verificada por los fabricantes de terminales antes de que pueda ingresar a la cadena de suministro de teléfonos inteligentes, computadoras portátiles u otros dispositivos.
Desde una perspectiva a largo plazo, Yangtze Storage está intentando romper la división comercial original del trabajo en la industria de almacenamiento de China. En el pasado, el negocio principal de Yangtze Memory era la memoria flash NAND, mientras que Changxin Memory desarrollaba principalmente memoria DRAM. Hoy en día, ambas empresas están explorando los mercados de la otra y la competencia futura puede no sólo implicar la velocidad y el precio del producto, sino también extenderse a los procesos de fabricación, la arquitectura de las celdas de memoria, el diseño de las patentes y la escala de la capacidad de producción.
En general, Yangtze Memory ha desarrollado una memoria LPDDR de 9600 MT/s y planea promover la producción en masa en su tercera fábrica de obleas, lo que demuestra que está expandiendo activamente su negocio de DRAM. Pero todavía se trata de un plan que debe someterse a verificación técnica y pruebas de fabricación a gran escala, en lugar de un producto maduro que ya está en el mercado. En el futuro, lo que realmente determinará si puede desafiar a los gigantes del almacenamiento internacional será el rendimiento del producto, el rendimiento de fabricación, el control de costos y la capacidad de continuar expandiendo la capacidad de producción.
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