Huawei eventualmente hará la transición a conjuntos de chips de 5 nm más avanzados y su objetivo es deshacerse de elementos extraños, y espera lograr este objetivo con la ayuda de SMIC. Según un nuevo informe del Financial Times, el mayor fabricante de semiconductores de China planea construir líneas de producción para producir en masa chips de próxima generación y seguirá utilizando la marca Kirin.
Después del éxito del Kirin 9000S, que se produce en masa utilizando el proceso de 7 nm de SMIC para impulsar la serie Mate60, Huawei necesita seguir manteniendo este impulso. A medida que se acerca la fecha de lanzamiento de la serie Mate70, Huawei debe desarrollar un chip con un rendimiento más potente y una mayor eficiencia para superar el rendimiento del Kirin 9000S en todos los aspectos. Si bien en su condición actual, es poco probable que el Kirin 9000S gane algún premio por rendimiento o ahorro de energía, el hecho de que haya alcanzado la producción en masa sin ayuda de empresas externas es una hazaña impresionante en esta industria.
Según los informes, para lograr el objetivo de producción de chips de 5 nanómetros, SMIC reutilizará los equipos DUV existentes para la producción en masa. Ha habido rumores de que la compañía china tomaría este camino, pero una fuente de la industria de chips dijo que si bien la producción en masa de conjuntos de chips de 5 nm es completamente posible, el precio será de bajos rendimientos y costos de producción elevados.
No hace mucho, hubo informes de que al fabricante holandés de equipos EUV ASML se le prohibió proporcionar a las empresas chinas el equipo avanzado necesario para fabricar chips de última generación. Ante este importante revés, a SMIC y Huawei no les queda más remedio que utilizar hardware de la generación actual, pero ¿qué éxito tendrá este plan a la hora de lanzar SoC Kirin de 5 nm en el futuro?
Anteriormente se rumoreaba que Huawei estaba preparando el Kirin 9010 para la próxima familia P70, pero no se compartieron los detalles de la tecnología de fotolitografía.