Intel Foundry Services (IFS) anunció hoy que su primer nodo de fabricación de silicio que utiliza tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV), el nodo Intel 4, comenzará la producción en masa. El 29 de septiembre, Intel de 4 nodos comenzará la producción en la fábrica de la empresa (Fab34) en Leixlip, Irlanda.
El director ejecutivo de la empresa, Pat Gelsinger, la directora general de desarrollo tecnológico de Intel, la Dra. Ann Kelleher, y el director de operaciones global, Keyvan Esfarjani, asistirán a la primera ceremonia conmemorativa de la producción de obleas.
Intel Gen 4 es una fundición avanzada que utiliza tecnología EUV, con densidad de transistores y características eléctricas comparables a los nodos de fundición de 5 nm y 4 nm de TSMC.
Los primeros chips fabricados incluyen chips informáticos para los procesadores Core "Meteor Lake" de la empresa, que contienen núcleos de CPU de próxima generación. En comparación con el Intel de 7 nodos actual, el Intel de 4 nodos ha duplicado el área de la biblioteca lógica, ha aumentado el consumo de energía equivalente en un 20 % y ha introducido nuevos condensadores de metal-aislante-metal (MIM).
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