Según el medio coreano The Elec, Samsung Electronics planea detener oficialmente la producción de almacenamiento de memoria flash 2D NAND este año y transformar integralmente las antiguas líneas de producción relacionadas para adaptarse a la creciente demanda de potencia informática de inteligencia artificial y memoria de alto ancho de banda (HBM).
El informe señaló que la línea de producción 12 de Samsung en su base de Hwaseong en Corea del Sur se utiliza actualmente principalmente para producir 2D NAND, y este proceso ya es una "tecnología antigua". La línea de producción tiene una capacidad de producción mensual de aproximadamente 80.000 a 100.000 obleas de 12 pulgadas. Sin embargo, con la tendencia general de que 3D NAND reemplace completamente a la NAND plana, su propósito original ya no está en línea con la dirección del mercado. Samsung no decidió simplemente cerrar las instalaciones, sino que convirtió una gran cantidad de sus aún valiosos equipos de fabricación de obleas al proceso de metalización DRAM, que es la formación de rutas de cables metálicos dentro del chip DRAM que conectan las celdas de memoria.
Una vez completada la transformación, Hwaseong Line 12 se utilizará para producir la DRAM 1c de clase 10 nm de sexta generación de Samsung. Este nodo de proceso se utilizará para los productos HBM4 de próxima generación. Samsung espera que para la segunda mitad de este año, su capacidad de producción mensual total de 1c DRAM aumente a aproximadamente 200.000 obleas. La línea de producción renovada de Hwaseong funcionará junto con las líneas de producción P3 y P4 de Pyeongtaek para proporcionar más soporte de capacidad de producción para HBM4.
La memoria flash 2D NAND se introdujo por primera vez a finales de los años 1990 y ha estado en producción en masa durante muchos años. Sin embargo, en los últimos años, los principales fabricantes de almacenamiento han ido cambiando gradualmente su enfoque hacia la estructura apilada 3D NAND. En comparación con la NAND plana tradicional, la 3D NAND tiene ventajas obvias en densidad de capacidad, confiabilidad y rendimiento general, y es adecuada para satisfacer las necesidades de los centros de datos y equipos terminales de alta gama. Samsung planea detener por completo la producción de 2D NAND en marzo de este año para liberar más espacio de fabricación para 3D NAND y otros productos de almacenamiento de alto valor agregado.
Los conocedores de la industria creen que al transformar la línea de producción 2D NAND original en DRAM y capacidad de producción relacionada con HBM, se espera que Samsung consolide aún más su posición en el mercado global de almacenamiento de alto ancho de banda. En el contexto actual de escasez de oferta de memoria, aumentar la capacidad de producción efectiva de DRAM y HBM avanzadas también ayudará a aliviar la escasez de oferta de almacenamiento y la presión alcista de precios hasta cierto punto.