La tasa de rendimiento de DRAM de 1dnm de Samsung no cumple con el estándar, lo que puede llevar a posponer la producción en masa de HBM5E.

Recientemente, una fuente reveló queLa tasa de rendimiento de los chips DRAM de Samsung basados ​​en el proceso de 1dnm (proceso de nivel de 10nm de séptima generación) durante la fase de producción de prueba fue menor de lo esperado. Samsung ha planeado posponer la producción en masa a gran escala indefinidamente hasta que la tasa de rendimiento alcance el objetivo establecido.Con este fin, Samsung puede revisar exhaustivamente el flujo del proceso para mejorar aún más la tasa de rendimiento.

Según el plan original,Samsung planea utilizar chips DRAM fabricados en el proceso de 1dnm para HBM5E, la solución de HBM de novena generación.

Vale la pena señalar que, además de HBM4, los chips DRAM que actualmente utilizan el proceso de 1cnm también se utilizarán en HBM4E y HBM5, cubriendo tres generaciones consecutivas de productos HBM. También hay rumores de que Samsung podría actualizar el chip básico de la próxima generación de HBM y cambiar a un proceso de 2 nm más avanzado.

Actualmente, Samsung ha invertido más recursos en chips DRAM de proceso de 1dnm y ha construido una nueva fábrica en Corea del Sur.

Se informa que,La fábrica tiene una superficie del tamaño aproximado de cuatro campos de fútbol estándar. Además de producir chips DRAM, también se encargará del embalaje, las pruebas, la logística y el control de calidad. Estos procesos son cruciales para mantener una producción estable.