Applied Materials anunció que ha llegado a una asociación innovadora con su socio de largo plazo TSMC para desarrollar conjuntamente tecnologías de semiconductores clave para la nueva generación de la era de la inteligencia artificial en su centro EPIC (Equipment and Process Innovation and Collaboration) en Silicon Valley, EE. UU., con una inversión total de hasta 5 mil millones de dólares. Las dos partes llevarán a cabo investigación y desarrollo colaborativos en este centro en torno a la ingeniería de materiales, la innovación de equipos y la integración de procesos, con el objetivo de lograr un rendimiento de chip más eficiente desde el punto de vista energético en todo el enlace, desde los centros de datos en la nube hasta los dispositivos terminales.

Gary Dickerson, presidente y director ejecutivo de Applied Materials, dijo que la empresa y TSMC han tenido más de 30 años de cooperación profunda a la vanguardia de la tecnología avanzada de semiconductores. Esta "innovación en el mismo sitio" en el Centro EPIC ayudará a ambas partes a enfrentar más rápidamente la complejidad sin precedentes de la hoja de ruta del proceso y acelerará el avance de tecnologías innovadoras desde la investigación en etapa inicial hasta la producción en masa a gran escala. Wei Zhejia, vicepresidente ejecutivo y codirector de operaciones de TSMC, señaló que a medida que cada generación de arquitectura de dispositivos semiconductores continúa evolucionando, la dificultad de la ingeniería de materiales y la integración de procesos continúa aumentando. Para satisfacer la explosiva demanda de potencia informática de IA a escala global, se requiere una colaboración más estrecha dentro de la cadena industrial. Destacó que el Centro EPIC proporciona un ambiente ideal para acelerar la madurez de equipos y procesos de nueva generación.

Según las dos partes, a través de la cooperación del Centro EPIC, Applied Materials y TSMC se centrarán en una serie de desafíos clave que enfrentan los procesos lógicos avanzados actuales a medida que continúan "reduciéndose, apilándose y mejorando la eficiencia". Las direcciones clave incluyen: primero, desarrollar nuevas tecnologías de procesos que puedan mejorar continuamente el consumo de energía, el rendimiento y el área (PPA) en los nodos de procesos líderes para soportar los mayores requisitos de la IA y la computación de alto rendimiento en chips; en segundo lugar, introducir nuevos materiales y equipos de fabricación de nueva generación para lograr una construcción precisa de transistores 3D complejos y estructuras de interconexión; en tercer lugar, mejorar el rendimiento, el control de las fluctuaciones de los procesos y la confiabilidad a través de soluciones avanzadas de integración de procesos, sentando las bases para la evolución hacia arquitecturas de apilamiento vertical y escalamiento extremo.

El Centro EPIC es conocido como la mayor inversión individual en investigación y desarrollo de equipos semiconductores avanzados en los Estados Unidos hasta la fecha. El plan general tiene como objetivo acortar significativamente el ciclo de transformación tecnológica desde el laboratorio hasta la fábrica de producción en masa. Se espera que el centro esté operativo este año y sus instalaciones se han optimizado desde el principio con el objetivo de "pasar rápidamente de la investigación y el desarrollo iniciales a la verificación de la producción en masa". Para los clientes de fábricas de obleas, incluido TSMC, el Centro EPIC brindará acceso temprano a la cartera de I+D de materiales aplicados, acelerará las iteraciones de prueba y acelerará la introducción de tecnologías de próxima generación en líneas de producción de alta capacidad en un entorno colaborativo seguro y controlable.

Applied Materials dijo que a través del modelo de cocreación del Centro EPIC, la compañía no solo puede brindar una mayor eficiencia en I+D y un intercambio de valor a los socios, sino también obtener una perspectiva prospectiva de ciclos más largos y múltiples nodos de proceso para un diseño más específico de los recursos internos de I+D. Impulsados ​​por la IA, la tendencia de los chips a evolucionar hacia dispositivos 3D complejos y estructuras de interconexión se ha vuelto cada vez más clara. La industria generalmente cree que cómo cruzar el umbral técnico conocido como "muro de transistores 3D" determinará en gran medida el límite superior del rendimiento del chip de IA y la eficiencia energética en la siguiente etapa. La cooperación entre Applied Materials y TSMC en el Centro EPIC se considera uno de los eslabones importantes de la cadena industrial en esta dirección.