Resumen:
Se publicó el tercer informe trimestral de Changxin Technology para 2026. En el tercer trimestre (julio-septiembre), los ingresos operativos fueron de aproximadamente 118.714 millones de yuanes, un aumento intermensual de aproximadamente el 19,30%; el beneficio neto fue de aproximadamente 88.983 millones de yuanes, un aumento intermensual de aproximadamente el 19,38%. Al mismo tiempo, el informe del tercer trimestre reveló los últimos avances tecnológicos: los productos DRAM desarrollados en base a la plataforma tecnológica de sexta generación han completado la verificación de muestras de ingeniería.
Recientemente, Changxin Technology ha realizado frecuentes movimientos en el campo de la tecnología central: desde la primera producción en masa del mundo de LPDDR6 en agosto, hasta la producción en masa de la plataforma tecnológica de quinta generación (G5) en septiembre, hasta el reciente anuncio de avances clave en la arquitectura 4F². Detrás del progreso tecnológico de productos clave se encuentra la inversión de alta intensidad en I+D de la empresa: la inversión en I+D en los tres primeros trimestres de 2026 alcanzó los 11.071 millones de yuanes, un aumento del 73,03% respecto al mismo período del año pasado.
Según el informe del tercer trimestre, los productos DRAM desarrollados por Changxin Technology basados en la plataforma tecnológica de sexta generación han completado la verificación de muestras de ingeniería, lo que significa que el producto está en vísperas de la producción en masa: la finalización de la verificación de muestras de ingeniería significa que la empresa ha completado la verificación técnica interna y la evaluación temprana del cliente. Después del siguiente paso, el producto puede ingresar a la etapa de producción y envío en masa después de completar la verificación del cliente en clientes clave.
En el contexto de una demanda explosiva de potencia informática de IA final, Changxin continúa logrando avances en el lado del producto. A finales de agosto, Changxin anunció que la última generación de memoria de bajo consumo LPDDR6 ha logrado una producción en masa a nivel mundial y se ha instalado en el primer lote de modelos insignia de teléfonos inteligentes convencionales. El chip tiene una velocidad máxima de 12800 Mbps, un aumento del 60 % en el ancho de banda en comparación con el producto LPDDR5X de la generación anterior y una reducción del 20 % en el consumo de energía, lo que brinda soporte de almacenamiento clave para escenarios de IA del lado final.
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