Resumen:
Changxin Technology declaró en la reunión de intercambio de desempeño del tercer trimestre que, basándose en el avance clave de la arquitectura DRAM de canal vertical 4F², la plataforma de tecnología de procesos de sexta generación ha completado la verificación de muestras de ingeniería. Esta es la primera vez que Changxin anuncia que la plataforma de tecnología de procesos de sexta generación se basa en la arquitectura 4F².
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Según la práctica de la industria, la finalización de la verificación de la muestra de ingeniería significa que los indicadores principales de rendimiento de la plataforma han alcanzado las expectativas de diseño en obleas reales y puede ingresar a la etapa de producción en masa una vez que el cliente complete la verificación. Changxin declaró anteriormente en un discurso público que se espera lanzar una nueva generación de productos DDR5 RDIMM que integran tecnología avanzada 4F² para fin de año para el campo de servidores, uno de los campos más difíciles de aplicar.
En términos de progreso divulgado públicamente, Changxin está a la vanguardia mundial en la promoción de la ingeniería 4F²: Samsung y SK Hynix han incluido 4F² como una dirección clave por debajo del nivel de 10 nm, y Changxin ha tomado la iniciativa en completar la verificación de muestras de ingeniería; Si el progreso posterior se desarrolla sin problemas, se espera que Changxin se convierta en la primera empresa del mundo en implementar 4F².
4F² se considera un camino clave para superar el cuello de botella de contracción de las celdas DRAM y avanzar hacia la DRAM 3D. La evolución de la tecnología DRAM siempre ha girado en torno a mejoras de densidad: integrar más unidades en una oblea del mismo tamaño para distribuir el costo por bit. Pero después de entrar en el nivel de 10 nm, el 6F² original se ha vuelto insostenible y se acerca al límite físico. La Hoja de Ruta Internacional de Dispositivos y Sistemas (IRDS) del IEEE establece claramente que cuando el escalado de medio paso se vuelve cada vez más difícil, "la transición de unidades de 6F² a 4F² es el camino más prometedor para mantener las tendencias de costos".
El área de la unidad 4F² es 2F×2F (F es el ancho de línea mínimo o espaciado que se puede lograr con la tecnología de fotolitografía), que es aproximadamente dos tercios de la unidad principal de 6F². Se ha convertido en una opción común para los principales fabricantes de almacenamiento de todo el mundo. SK Hynix ha incluido la plataforma de puerta vertical (VG) 4F² y la DRAM 3D como dos pilares técnicos principales. Samsung publicó un artículo 4F² de 10 nm en ISSCC 2026, y su CTO confirmó públicamente en octubre de este año que también lo está desarrollando; La industria también considera 4F² como una etapa necesaria para la DRAM 3D.
El núcleo de la arquitectura 4F² de Changxin es el transistor VSG (Puerta envolvente vertical) de desarrollo propio. Su estructura de canal circundante vertical tiene un control de compuerta más fuerte, lo que puede aliviar los efectos de canal corto y las fugas. A nivel arquitectónico, esta solución desacopla los procesos de fabricación de DRAM y CMOS y luego realiza una interconexión de alta velocidad a través de enlaces híbridos a nivel de oblea, de modo que el rendimiento lógico, la densidad de almacenamiento y la confiabilidad se pueden optimizar por separado.
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