Prueba extrema de memoria flash del iPhone 18 Pro Max: el rendimiento va por detrás de la tarjeta SD bajo carga pesada

📅 2026-09-21

Resumen:

HOMOLAB, una conocida agencia de pruebas, realizó una medición real del rendimiento de almacenamiento del iPhone 18 Pro Max de 1 TB. Los resultados mostraron que la velocidad de la memoria flash de este modelo disminuyó significativamente en escenarios de escritura de alta carga sostenida, incluso por debajo de algunas tarjetas microSD de nivel básico.

La versión de 1 TB del iPhone 18 Pro Max utiliza memoria flash QLC y cada unidad de almacenamiento puede guardar 4 bits de datos.

En comparación con la memoria flash TLC utilizada en la mayoría de los teléfonos móviles (3 bits por celda), QLC proporciona una mayor capacidad en el mismo espacio físico, pero generalmente no es tan rápida y duradera como TLC. HOMOLAB lo comparó con el iPhone 18 Pro equipado con memoria flash TLC de 512 GB.

En la prueba de lectura ponderada de 4K, los dos modelos se desempeñaron de manera similar: la versión QLC obtuvo una puntuación de 46045 y la versión TLC obtuvo una puntuación de 51282. La brecha se amplía significativamente bajo cargas mixtas de lectura y escritura: la versión TLC lidera en aproximadamente un 38 % cuando la profundidad de la cola es baja, y la brecha se reduce a aproximadamente un 12 % en escenarios de carga alta.

Las pruebas muestran que el iPhone 18 Pro Max, como la mayoría de los teléfonos móviles modernos, está equipado con una caché SLC de alta velocidad para hacer frente a las escrituras de datos en ráfagas. Cuando el espacio de caché es suficiente, la velocidad puede superar los 3000 MB/s. Una vez que se agota el caché, el teléfono recurrirá a un búfer secundario que simula TLC y la velocidad de escritura promedio es de 578 MB/s, pero fluctúa ampliamente.

Cuando el búfer secundario también esté lleno, los datos se escribirán directamente en la memoria flash QLC. En este momento, la velocidad de escritura sostenida es de sólo 79,4 MB/s en promedio y tan baja como 25,6 MB/s, lo que no es tan bueno como el de muchas tarjetas microSD baratas.


A medida que aumenta el uso del espacio de almacenamiento, la degradación del rendimiento se intensifica aún más. Cuando se utiliza el 60% de la capacidad, la caché SLC disponible cae de aproximadamente 250 GB cuando el disco está vacío a 58 GB. La velocidad promedio del búfer TLC simulado cae a 396 MB/s. La velocidad promedio de la etapa de escritura QLC original es de solo 45 MB/s, y la más baja cae a 1,1 MB/s, lo que obviamente está por detrás del almacenamiento TLC UFS 4.0 utilizado por otros modelos emblemáticos.

El análisis de medios extranjeros dijo que para escenarios de uso diario, como enviar mensajes, navegar por la web y tomar fotografías normales, esta diferencia de rendimiento suele ser difícil de percibir. Sin embargo, los usuarios notarán una caída significativa de la velocidad al realizar operaciones sostenidas de alta escritura, como grabación de video 4K o ProRes a largo plazo, transferencias de archivos grandes o copias de seguridad y recuperación. Estos escenarios son exactamente los que los usuarios de la versión de gran capacidad pueden encontrar con frecuencia.

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