Resumen:
CNBC publicó un artículo el martes, centrándose en los avances tecnológicos realizados por Changxin Storage. El artículo decía que Changxin Storage puede no ser tan conocido, pero sus avances tecnológicos provocaron que las existencias de los gigantes mundiales del almacenamiento se desplomaran colectivamente.
Almacenamiento Changxin
CNBC dijo que Changxin Memory es el principal competidor de los fabricantes mundiales de chips de memoria. Los gigantes actuales de la industria incluyen Micron, SK Hynix y Samsung. Pero el fin de semana pasado, Changxin Storage anunció que había logrado avances en la investigación y el desarrollo de su nueva arquitectura. Esta arquitectura permite almacenar más datos en menos espacio, aumentando así la densidad de almacenamiento.
El martes, las acciones de Micron cayeron un 3,62%. Las acciones de SK Hynix, que cotiza en Corea del Sur, cerraron con una caída del 10% y Samsung Electronics cayeron un 7,4%. Otras acciones relacionadas con chips de memoria también cayeron, incluidas SanDisk, Seagate y Western Digital.
Nuevo avance tecnológico
CNBC dijo que antes de su exitosa oferta pública inicial (IPO) este verano, Changxin Storage era poco conocido fuera del mercado chino. Pero después de su lanzamiento en julio de este año, rápidamente atrajo la atención mundial. El precio de las acciones de la empresa se disparó casi un 466% el primer día de cotización en la Junta de Innovación Científica y Tecnológica de Shanghai, y una vez se convirtió en la empresa con el mayor valor de mercado entre las empresas chinas que cotizaban en bolsa en ese momento.
CNBC señaló que después de que Changxin Memory se hiciera pública, una de las cuestiones más preocupantes en el mercado era si la empresa podría reducir la brecha tecnológica con Micron, Samsung y SK Hynix, especialmente en el campo de la memoria de alto ancho de banda (HBM), que es un componente clave de los sistemas de chips de IA.
Las acciones de Micron cerraron con una caída del 3,62%
Sin embargo, según informes de los medios nacionales, Cao Kanyu, presidente de Changxin Memory, reveló un nuevo progreso en la tecnología DRAM en la 4ª Conferencia de Chips y Chips Integrados el 10 de octubre. Cao Kanyu presentó la arquitectura DRAM llamada 4F² y dijo que se espera que Changxin Memory lance una nueva generación de productos DDR5 RDIMM utilizando esta tecnología para fin de año.
Cao Kanyu dijo que esta arquitectura ha introducido innovaciones en los transistores de la matriz de almacenamiento DRAM. Los transistores VSG (puerta rodeada vertical) adoptan una estructura de canal circundante vertical para lograr un control de puerta más fuerte y resolver los puntos débiles de las fugas y los efectos de canal corto. Los transistores verticales ayudan a reducir el área y aumentar la densidad de almacenamiento.
CNBC declaró que el nuevo diseño de arquitectura se basa en la tecnología "4F²" y puede lograr una mayor densidad de almacenamiento. SK hynix también está avanzando en el diseño 4F² y anunció una hoja de ruta para desarrollar esta tecnología en 2025.
Los analistas generalmente creen que Changxin Storage va por detrás de sus competidores globales en la investigación y el desarrollo de tecnología de almacenamiento de vanguardia. Por lo tanto, cualquier noticia sobre sus avances tecnológicos podría afectar significativamente las percepciones de los inversores sobre las ventajas de mercado de sus competidores globales.
Crecimiento de la cuota de mercado
A pesar de los desafíos que plantean los controles de exportación, Changxin Storage ha logrado avances significativos en el mercado.
Un informe publicado por HSBC el jueves pasado mostró que la participación de Changxin Memory en el mercado global de DRAM ha aumentado a aproximadamente el 10%, en comparación con aproximadamente el 4% hace un año.
Los analistas de Citigroup dijeron en un informe de agosto: "Es poco probable que el gobierno de EE. UU. permita que los chips de memoria fabricados en China se vendan en los Estados Unidos, pero los productos vendidos a centros de datos en otras regiones como Europa pueden afectar indirectamente a Micron".
Apple ha comenzado a probar los chips DRAM de Changxin Memory para su uso en dispositivos vendidos en China y ha estado presionando al gobierno de Estados Unidos para que permita un uso más amplio de los productos de la compañía, informó el Financial Times en julio, citando a personas familiarizadas con el asunto.
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