La tecnología reemplaza los condensadores tradicionales con elementos ferroeléctricos de óxido de hafnio (HfO₂), lo que permite un almacenamiento duradero sin necesidad de energía y al mismo tiempo mantiene tiempos de acceso de nanosegundos. Esta tecnología híbrida aborda la brecha de rendimiento entre la DRAM de alta velocidad y la memoria de tipo almacenamiento, como la memoria flash NAND.
A diferencia de las empresas conjuntas anteriores de DRAM de Infineon y Qimonda en Europa que no cumplieron con los requisitos económicos de la memoria básica, FMC apunta a aplicaciones profesionales que valoran la durabilidad y la eficiencia energética. El enfoque basado en HfO₂ aborda las limitaciones de implementaciones anteriores de memoria FeRAM que utilizaban titanato de circonato de plomo (PZT), que no podían escalar más allá de los megabytes de capacidad.
Los prototipos ahora demuestran densidades de rango gigabit que son compatibles con procesos de fabricación por debajo de 10 nm para DRAM convencionales fabricadas por Micron, Samsung, SK Hynix y otros. Al eliminar los ciclos de actualización, DRAM+ reduce significativamente el consumo de energía estática en comparación con las celdas DRAM tradicionales de un solo transistor/un solo condensador. Las aplicaciones clave incluyen aceleradores de IA que requieren pesos persistentes de los modelos, ECU de automóviles con requisitos de encendido instantáneo e implantes médicos con limitación de energía.
Neumonda contribuirá con su conjunto de plataformas de prueba, Rhinoe, Octopus y Raptor, para la caracterización y análisis eléctricos con costos de capital más bajos que los equipos de prueba de semiconductores estándar. Aún no se ha anunciado el calendario de producción de productos comerciales DRAM+.