Samsung ha desarrollado recientemente una nueva generación de memoria LPDDR6 de bajo consumo para aplicaciones de dispositivos móviles, utilizando una tecnología de proceso de 12 nanómetros y una velocidad de datos del módulo de hasta 10,7 Gbps. Los ingenieros de Samsung aumentaron la cantidad de canales de entrada/salida e introdujeron tecnología de ajuste dinámico de energía para que la memoria pueda ajustar instantáneamente el consumo de energía según la carga de trabajo.
Además, Samsung ha integrado potentes funciones de seguridad en el sistema de memoria para garantizar la integridad de los datos para diversas aplicaciones. Vale la pena mencionar que el último LPDDR5X optimizado de Samsung también alcanza una velocidad de 10,7 Gbps, que también se ha convertido en el estándar inicial para la nueva generación de LPDDR6.
Al igual que en el proceso de transición de DDR4 a DDR5, la configuración final del producto de la generación anterior suele ser similar al rendimiento de la primera generación del nuevo estándar. Samsung dijo que la eficiencia energética de LPDDR6 es un 21% mayor que la de LPDDR5X. Al lograr el mismo ancho de banda y velocidad, el consumo de energía del dispositivo se reduce a una quinta parte.
Samsung espera que LPDDR6 pueda alcanzar velocidades más altas en el futuro, hasta 14 Gbps, superando la versión overclockeada existente del chip LPDDR5X. En la feria CES a principios del próximo año, Samsung demostrará equipos terminales equipados con nueva memoria y publicará detalles técnicos.