En la 69ª Conferencia Internacional de Dispositivos Electrónicos (IEDM) de IEEE, Xin, director de la fábrica de almacenamiento más grande del país, presentó un artículo en el que decía que había logrado un gran avance en tecnología y que podía manejar chips de tecnología de 3 nm. A juzgar por el artículo publicado por Changxin, esto demuestra su avance en la tecnología Gate-All-Around (GAA), que se puede utilizar en chips de proceso de 3 nm y, por supuesto, también puede manejar 5 nm, 7 nm, 10 nm y 14 nm.
Debido al control del proceso del equipo, Changxin aún no puede producir ni fabricar, pero este documento ha demostrado que tienen esta fortaleza técnica, y este es un microcosmos del avance independiente de los chips nacionales.
Antes de esto, Changxin Memory lanzó oficialmente una serie de productos LPDDR5, que incluyen partículas LPDDR5 de 12 Gb, chips LPDDR5 de 12 GB empaquetados POP y chips LPDDR5 de 6 GB empaquetados DSC.
Changxin Storage es también la primera marca nacional en lanzar productos LPDDR5 de producción y desarrollo propio, sin lograr ningún avance en el mercado nacional.
El chip LPDDR5 es la quinta generación de memoria dinámica de acceso aleatorio de doble velocidad y consumo ultrabajo. En comparación con la generación anterior LPDDR4X, la capacidad y velocidad de una sola partícula de Changxin Storage LPDDR5 aumentan en un 50 %, alcanzando 12 Gb y 6400 Mbps respectivamente, mientras que el consumo de energía se reduce en un 30 %.