Según varias fuentes de la cadena de suministro de la industria y de las redes sociales chinas, a medida que el límite de rendimiento de los chips móviles emblemáticos continúa aumentando y las soluciones de refrigeración tradicionales de los teléfonos móviles se vuelven cada vez más estrictas, Qualcomm está considerando utilizar la tecnología Heat Pass Block (HPB) de Samsung en la serie Snapdragon 8 Elite Gen 6 de próxima generación para aliviar la presión térmica causada por el funcionamiento de alta frecuencia.
Esta tecnología HPB se aplicó por primera vez al chip Exynos 2600 de proceso de 2 nm de Samsung y los funcionarios afirman que puede reducir la resistencia térmica en aproximadamente un 16%. El enfoque principal es cubrir directamente la matriz del procesador con una capa conductora térmica de cobre para proporcionar un camino para que el calor se evacue rápidamente de la fuente del chip y reducir el proceso ineficiente de difusión del calor a los componentes circundantes y luego de su exportación pasiva. Al mismo tiempo, los módulos de memoria que tradicionalmente se apilan encima del SoC se mueven hacia el costado del chip, y el ajuste de diseño aparentemente simple se combina con la alta conductividad térmica del cobre para reducir la formación de puntos calientes locales.
El chip insignia de la generación anterior de Qualcomm, Snapdragon 8 Elite Gen 5, ha demostrado el precio de esta ruta de “rendimiento extremo para un alto consumo de energía”. El chip supera ligeramente al A19 Pro de Apple en las puntuaciones multinúcleo de Geekbench 6, pero a costa de consumir aproximadamente un 61% más de energía, lo que destaca el esfuerzo de Qualcomm por llevar la disipación de calor y el consumo de energía al límite en su lucha por el liderazgo en las puntuaciones de carrera. En este contexto, una solución de refrigeración de fuente más eficiente se considera un requisito previo para el próximo salto de rendimiento.
Según informes de Weibo, la frecuencia más alta del núcleo de rendimiento de la versión Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro probada internamente por Qualcomm se acerca a los 5 GHz. En un entorno experimental abierto, dicha frecuencia se puede mantener, pero una vez que se empaqueta en el cuerpo de un teléfono inteligente con espacio limitado, la rápida acumulación de calor se convertirá en un cuello de botella importante. Aunque se espera que la próxima generación de chips cambie al proceso de 2 nm de TSMC y mejore la eficiencia energética, las ventajas de eficiencia energética que aporta el proceso pronto se verán compensadas a medida que se siga aumentando la frecuencia en busca de un rendimiento extremo.
Esto también ha llevado a la industria a considerar el "enfriamiento de fuente directa" como HPB como una mejora necesaria a nivel estructural en lugar de una tecnología experimental de nicho. Los informes indican que Qualcomm está evaluando HPB como una de varias posibles soluciones de enfriamiento para estabilizar las temperaturas de los chips en escenarios de carga máxima. Durante mucho tiempo, la disipación de calor de los teléfonos móviles se ha basado principalmente en soluciones como cámaras de vapor y disipadores de calor de grafito. Sin embargo, a medida que la densidad de potencia de SoC continúa aumentando, los beneficios marginales de estos métodos tradicionales se están debilitando.
Si Qualcomm finalmente integra HPB en la serie Snapdragon 8 Elite Gen 6, significará que ha hecho un cambio claro hacia ideas de "gestión térmica a nivel de matriz" a nivel de arquitectura de chip por primera vez. Esto también se verá como la admisión de Qualcomm de que la estrategia existente de disipación de calor, incluso después de años de pulirla, se está acercando a su límite bajo la forma actual de los teléfonos inteligentes y el nivel de consumo de energía, y requiere ajustes más profundos en el empaque y el diseño estructural.
Por el momento, Qualcomm no ha confirmado oficialmente la noticia relevante. Sin embargo, varios denunciantes de Weibo habían sido los primeros en revelar con precisión detalles relacionados con el Exynos 2600. Esta ronda de noticias sobre el Snapdragon 8 Elite Gen 6 y el enfriamiento HPB es muy consistente en términos de tiempo y contenido, lo que hace que el mundo exterior crea que su credibilidad no es baja. En un momento crítico en el que los principales procesadores de teléfonos móviles avanzan hacia la banda de frecuencia de 5 GHz, si Qualcomm optará por "unir fuerzas" con Samsung en la tecnología de disipación de calor se convertirá en un foco importante de la próxima competencia de chips móviles de alta gama.