TSMC capturó el 70% del mercado mundial de fundición de obleas el año pasado y se puede decir que su tecnología avanzada está muy por delante de otros competidores. El último proceso para la producción en masa es de 2 nm, pero el proceso de 1 nm también está en camino. El terreno del parque que debe prepararse primero antes de que 1 nm construya su fábrica. Recientemente se informó que el Parque Sharon en Tainan, con una superficie total de 531 hectáreas, entrará en la segunda fase de evaluación de impacto ambiental en abril de este año, y la evaluación de impacto ambiental final se completará en el tercer trimestre de 2027.
Después de eso, se puede entregar a TSMC para que construya una fábrica. Se espera que la escala inicial sea de al menos 200 hectáreas.
Según el plan previamente anunciado por TSMC, se construirán seis fábricas de obleas en Sharon Park, entre las cuales P1 a P3 son principalmente para el proceso A14 de 1,4 nm.Las fábricas P4 a P6 están orientadas al proceso de 1 nm, y no se descarta que en el futuro haya un proceso de 0,7 nm.
En la hoja de ruta anunciada actualmente por TSMC, el proceso N2 del proceso de 2 nm se produjo en masa a finales del año pasado. Este año será comercializado a gran escala por Apple, AMD y otras empresas. El proceso A16 es el primer lanzamiento de la GPU Feynman de NVIDIA. Se producirá en prueba a finales de este año y la producción en masa no será hasta 2027.
Después de A16 está el proceso A14, que es el nivel de 1,4 nm. Actualizará la estructura del transistor GAA de segunda generación y la fuente de alimentación trasera y se espera que se lance en 2028.
El siguiente es el proceso de 1 nm del que estamos hablando ahora, pero TSMC no ha publicado mucha información antes.Por convención el nombre será A10., este es también el primer proceso de nivel angstrom de TSMC: el título del primero del mundo lo ocupó el proceso 20A de Intel hace unos años, pero este último es un poco indigno de su nombre. No ha logrado el honor del proceso angstrom antes de llegar por debajo de 1 nm.
Sin embargo, aún se desconocen los detalles técnicos del proceso de 1 nm de TSMC. Se rumorea que la estructura del transistor se actualizará aún más de GAA a CFET, e incluso se dice que se utilizarán materiales 2D. Es difícil juzgar lo que sucederá al final.
Se espera que el proceso de 1 nm se lance en 2030 según el nodo de TSMC. Uno de los objetivos que se propusieron para 2023 es integrar 200 mil millones de transistores en un solo chip en el nodo de 1 nm.Los envases 3D alcanzan el billón de transistoresEste objetivo es el mismo que el anterior pedido de Intel de 1 billón de transistores. Depende de quién pueda lograrlo primero.