Intel anunció que el proyecto de almacenamiento de próxima generación Z-Angle Memory (ZAM) promovido conjuntamente por SAIMEMORY, una subsidiaria de SoftBank, ha recibido selección oficial y apoyo financiero de la Organización de Desarrollo de Tecnología Industrial y Nuevas Energías de Japón (NEDO), y acelerará el proceso de investigación y desarrollo a través de subsidios gubernamentales.
ZAM se considera una alternativa potencial a la memoria de alto ancho de banda (HBM), cuyo objetivo es lograr un mayor ancho de banda, mayor capacidad y un consumo de energía significativamente menor, al tiempo que se aborda la escasez de almacenamiento en la IA y la computación de alto rendimiento (HPC).
Según la última información publicada por Intel K.K. y SAIMEMORY, el proyecto ZAM ha sido incluido en el plan de financiación de NEDO. Está previsto que el ciclo del proyecto sea de unos 3,5 años y se desarrollará en torno a la arquitectura DRAM apilada de próxima generación para la era de la IA. Esta arquitectura se denomina Z-Angle Memory y tiene como objetivo proporcionar una nueva forma de memoria para centros de datos y escenarios de aceleración de IA en el contexto de un consumo de energía y restricciones de diseño térmico cada vez más estrictos. El apoyo financiero de NEDO ayudará al proyecto a acelerar su ritmo en investigación técnica, verificación de fabricación y construcción de la cadena de suministro, para avanzar más rápidamente hacia la comercialización a gran escala.
Intel dijo que la compañía ha estado validando caminos de ingeniería y ciencia básica relacionados con ZAM durante muchos años, incluidos experimentos colaborativos en los laboratorios nacionales del Departamento de Energía de EE. UU. y exploración de tecnología en la "Iniciativa de vinculación de DRAM de próxima generación". Makoto Ohno, presidente de Intel Japón, señaló que recibir financiación de NEDO esta vez ayudará a impulsar estas primeras acumulaciones hacia un proceso de implementación global más rápido, al tiempo que solidificará aún más la vital asociación tecnológica entre Estados Unidos y Japón en los próximos años.
En el camino tecnológico, los indicadores principales bloqueados por ZAM (Z-Angle Memory) incluyen: reducir el consumo de energía entre un 40 % y un 50 % en comparación con las soluciones existentes, un diseño de apilamiento más simplificado y fácil de fabricar, y una densidad de capacidad ultraalta de hasta 512 GB para un solo chip. En términos de implementación específica, ZAM utiliza múltiples capas de chips DRAM estrechamente apilados. Cada capa está conectada a través de una estructura de interconexión llamada Z-Angle y está conectada al chip informático principal a través de un EMIB (puente de interconexión de múltiples chips integrado) debajo del chip base para aumentar el ancho de banda y comprimir el consumo de energía y la complejidad del empaquetado.
Según el nuevo plan de desarrollo, ZAM no solo será desarrollado por Intel y SAIMEMORY, sino que también introducirá ampliamente socios de tecnología, fabricación y cadena de suministro en Japón e internacionalmente para apoyar conjuntamente su avance en diseño, producción en masa y construcción ecológica. El objetivo del proyecto es proporcionar una solución de almacenamiento más escalable y energéticamente eficiente para futuras generaciones de plataformas y, al mismo tiempo, resolver los cada vez más importantes cuellos de botella de capacidad y ancho de banda de memoria en los mercados actuales de IA y HPC.
Vale la pena señalar que el lanzamiento de ZAM también significa que Intel regresará oficialmente al mercado de memorias con sus propios productos después de décadas. En las primeras etapas del desarrollo de la empresa, Intel fue un participante importante en la industria mundial de la memoria, pero finalmente los fabricantes japoneses la sacaron de su posición dominante en la competencia. Hoy, es la participación y el apoyo de empresas e instituciones japonesas lo que ayuda a Intel a hacer realidad esta nueva generación de tecnología de memoria, lo cual es bastante histórico.