El 23 de abril de 2026, NEO Semiconductor, un nuevo fabricante estadounidense de tecnología de almacenamiento e inteligencia artificial, anunció oficialmente que su tecnología 3D X-DRAM completó con éxito la prueba de concepto (POC), lo que demuestra que este nuevo tipo de memoria apilada 3D se puede fabricar utilizando la línea de producción 3D NAND Flash existente, allanando el camino para soluciones de memoria de alta densidad, bajo consumo y bajo costo en la era de la IA.
La tecnología 3D X-DRAM completa la prueba de concepto; el rendimiento supera con creces los estándares existentes
Según los informes, este chip de prueba de concepto de tecnología 3D X-DRAM fue desarrollado por NEO Semiconductor en cooperación con el Instituto de Innovación Académica-Industrial (IAIS) de la Universidad Yang-Ming Chiao Tung de Taiwán, y fue grabado y probado en el Instituto de Investigación de Semiconductores de Taiwán (NIAR-TSRI), un instituto de investigación aplicada. El chip pasó con éxito una evaluación eléctrica y de confiabilidad integral, lo que confirma la robustez y estabilidad de su arquitectura de memoria.
Según los resultados de las pruebas de concepto publicados por NEO Semiconductor, 3D X-DRAM funciona bien en varios indicadores clave. Los datos específicos son los siguientes:
Latencia de lectura y escritura: menos de 10 nanosegundos (<10 ns), que puede cumplir con los estrictos requisitos de velocidad de la informática de alto rendimiento;
Tiempo de retención de datos: más de 1 segundo a una temperatura alta de 85°C. Estos datos son 15 veces más largos que el tiempo de retención de 64 milisegundos de la DRAM estándar JEDEC (Solid State Technology Association);
Interferencia de línea de bits e interferencia de línea de palabras: ambas superan 1 segundo a 85°C, lo que muestra una excelente capacidad antiinterferencia;
Durabilidad del ciclo: más de 10¹⁴ ciclos de lectura y escritura, con una vida útil extremadamente alta;
Esta cifra de rendimiento significa que 3D X-DRAM supera con creces las especificaciones DRAM existentes en términos de retención de datos y durabilidad, al tiempo que mantiene capacidades de lectura y escritura de alta velocidad.
El Dr. Jack Sun, ex director de tecnología de TSMC y actual vicepresidente senior de la Universidad Yang-Ming Jiaotong, dijo: "Estoy muy satisfecho de que esta estrecha colaboración entre la industria y el mundo académico haya verificado la viabilidad del concepto NEO 3D DRAM en condiciones reales de proceso de fabricación de silicio. Esta exitosa prueba de concepto no sólo demuestra el potencial de las arquitecturas de memoria innovadoras, sino que también confirma la viabilidad de utilizar procesos maduros para lograr tecnología de memoria avanzada".
Jeongdong Choe, investigador técnico senior de TechInsights, también señaló: "A medida que el escalado de DRAM tradicional se acerca a sus límites, la prueba de concepto basada en silicio de NEO representa un hito importante. Al igual que la transición a 3D NAND durante la última década, ahora estamos siendo testigos del amanecer de una nueva era de DRAM 3D que excede los límites del escalado tradicional".
Se espera que 3D X-DRAM y X-HBM remodelen el mercado de memorias de IA
NAND Flash ya ha entrado en la era 3D y la cantidad de capas apilables está aumentando rápidamente. Más de 300 capas de NAND Flash están a punto de producirse en masa. Esto también ha mejorado enormemente la relación de capacidad de 3D NAND Flash en comparación con la era 2D, y el costo por bit también está disminuyendo rápidamente. Por el contrario, la DRAM ha permanecido estancada durante muchos años en la era del plano 2D y el coste por bit se ha reducido muy lentamente.
Si bien se están desarrollando tecnologías de memoria de clase de almacenamiento como Optane 3D XPoint de Intel para ofrecer velocidades cercanas a la DRAM, el costo también puede acercarse al de NAND. Pero Optane fracasó porque su costo seguía siendo alto porque la producción no podía ampliarse rápidamente y su memoria no volátil era demasiado compleja para programarla.
Aunque apilar celdas DRAM es un método arquitectónico obvio para reducir los costos de DRAM y aumentar la densidad del chip, también enfrenta muchos desafíos. Sin embargo, NEO Semiconductor anunció el lanzamiento de la tecnología 3D X-DRAM en 2023, con la esperanza de lograr este objetivo.
Según los informes, la idea de la tecnología 3D X-DRAM es similar a la de 3D NAND Flash, que aumenta principalmente la capacidad de la memoria al aumentar el número de capas de pila. El primer diseño de unidad 3D DRAM "1T0C" (un transistor, cero condensador) lanzado por NEO Semiconductor en 2023 utiliza tecnología de puerta flotante FBC similar a la de los chips 3D NAND Flash, pero agregar una capa de máscara puede formar una estructura vertical, que puede lograr una pila de 230 capas y una capacidad central de 128 Gb. La capacidad central actual de la memoria DRAM 2D sigue siendo de 16 Gb, alcanzando 8 veces la capacidad. En general, este diseño tiene un alto rendimiento, un bajo costo y una densidad mucho mayor.
En 2025, NEO Semiconductor lanzó las arquitecturas 1T1C y 3T0C, y anunció que producirá chips de prueba de concepto en 2026, con una densidad de hasta 512 Gb, que proporcionará 10 veces la capacidad de los módulos DRAM tradicionales actuales.
NEO Semiconductor también predice que, basándose en la tecnología 3D X-DRAM, el objetivo de capacidad de 1 TB para un solo chip de memoria se podrá alcanzar entre 2030 y 2035. Esto significa que una sola tarjeta de memoria de doble cara puede alcanzar una capacidad de 2 TB, y la memoria del servidor puede alcanzar una sola capacidad de 4 TB utilizando 32 chips. Al mismo tiempo, los costes también se reducirán significativamente.
El hecho de que la tecnología 3D X-DRAM de NEO Semiconductor complete esta vez la prueba de concepto, también significa que se espera que la tecnología se comercialice con éxito.
Más importante aún, 3D X-DRAM no solo puede soportar requisitos de carga de trabajo de alto rendimiento y bajo consumo de energía para la IA, sino que también puede fabricarse mediante procesos de fabricación 3D NAND Flash y puede utilizar rápidamente las líneas de producción existentes para lograr una producción en masa a gran escala.
Andy Hsu, fundador y director ejecutivo de NEO Semiconductor, dijo: "Estos resultados validan la nueva ruta de escalamiento para DRAM. Creemos que esta tecnología puede lograr una densidad significativamente mayor, un menor costo y una mayor eficiencia energética para la era de la IA. Al aprovechar los procesos y ecosistemas de fabricación 3D NAND maduros, nuestro objetivo es hacer que la DRAM 3D sea una realidad más rápido".
Vale la pena mencionar que NEO Semiconductor, basado en la tecnología 3D X-DRAM, también lanzará la primera arquitectura de memoria de ancho de banda ultra alto (X-HBM) del mundo para chips de IA en 2025. Esta arquitectura afirma ser capaz de alcanzar un ancho de bits ultra alto de 32.000 bits (32 K-bit) y una capacidad de capa única de 512 Gb. En comparación con el HBM tradicional, el ancho de banda aumenta 16 veces y la densidad aumenta 10 veces.
Hoy en día, a medida que la demanda de potencia informática de la IA aumenta exponencialmente, la memoria tradicional de HBM también se enfrenta a cuellos de botella triples de densidad, ancho de banda y consumo de energía. Una investigación realizada por la Academia de Ciencia y Tecnología de Corea ha predicho que incluso HBM8, cuyo lanzamiento está previsto para alrededor de 2040, sólo puede proporcionar un bus de 16 K bits y una capacidad de 80 Gbit por chip.
El X-HBM de NEO ha conseguido un bus de 32K bits y una capacidad de 512Gb por chip, lo que equivale a superar esta predicción de rendimiento con unos 15 años de antelación.
Recibió inversión del fundador de Acer.
La información muestra que NEO Semiconductor es una empresa de alta tecnología pionera en la próxima generación de inteligencia artificial y tecnología de almacenamiento. Fundada en 2012 y con sede en San José, California, la empresa se centra en redefinir la arquitectura de la memoria para satisfacer las crecientes demandas de la inteligencia artificial y la informática centrada en datos.
El fundador y director ejecutivo de NEO Semiconductor, Andy Hsu, trabajó en una startup de semiconductores anónima durante 16 años después de recibir su maestría en el Instituto Politécnico Rensselaer en 1995. Fundó NEO Semiconductor en agosto de 2012 y es el inventor de más de 120 patentes autorizadas.
Las tecnologías innovadoras clave de NEO incluyen X-NAND, 3D X-AI y X-HBM, así como su producto estrella 3D X-DRAM, una arquitectura innovadora que aprovecha una estructura similar a 3D NAND para permitir un camino escalable hacia una memoria de alta densidad y eficiencia energética.
Si bien la tecnología 3D X-DRAM completó con éxito la prueba de concepto, NEO Semiconductor también anunció que recibió una nueva ronda de inversión estratégica liderada por Stan Shih, fundador de Acer y ex director de TSMC. Shi Zhenrong ha sido director de TSMC durante más de 20 años. La industria considera su participación en esta inversión como un fuerte respaldo a la tecnología y la visión de NEO Semiconductor.
"Estoy muy contento de ver este avance logrado gracias a la colaboración entre la industria y el mundo académico", afirmó Zhenrong Shi. "Este punto conceptual se logró con éxito integrando innovación, una sólida ejecución de ingeniería y el sólido ecosistema de semiconductores de Taiwán. Se espera que la DRAM 3D de NEO desempeñe un papel clave en la arquitectura del sistema futuro. A medida que la memoria de próxima generación se vuelve cada vez más crítica para la computación de IA, se espera que innovaciones como 3D X-DRAM hagan una contribución significativa al desarrollo de la industria global de la memoria".
NEO Semiconductor declaró que los fondos han respaldado el desarrollo exitoso de POC y continuarán avanzando en la siguiente fase de la compañía, incluida la implementación a nivel de matriz, el desarrollo de chips de prueba multicapa y una cooperación más profunda con empresas líderes en memoria para explorar asociaciones estratégicas.
NEO Semiconductor se encuentra actualmente en conversaciones activas con socios de la industria en el ecosistema de memorias y semiconductores para avanzar esta tecnología hacia la comercialización. Con una verificación POC exitosa y una creciente participación de la industria, la compañía está entrando en una nueva fase centrada en el avance de 3D X-DRAM como tecnología fundamental para los sistemas de almacenamiento de IA de próxima generación.