SanDisk anunció oficialmente hoy que ha comenzado a entregar a los clientes muestras de prueba de su producto de tecnología de memoria flash 3D NAND de décima generación: el chip de memoria flash TLC BiCS10 de 1 TB (Terabit, 128 GB). Este nuevo chip ha logrado un salto cualitativo en densidad de almacenamiento, velocidad de transmisión y eficiencia en el consumo de energía, con el objetivo de satisfacer plenamente las necesidades urgentes de la informática moderna de almacenamiento de alta eficiencia a gran escala.

Según los detalles técnicos revelados oficialmente por SanDisk, el chip BiCS10 ha logrado con éxito una densidad de almacenamiento TLC líder en la industria de más de 29 Gb/mm² al aumentar significativamente el número de capas de apilamiento de memoria flash a 332 capas y combinarlo con tecnología avanzada de escalado lateral. En comparación con la memoria flash 3D de octava generación (BiCS8) actualmente en producción en masa como la principal fuerza en el mercado, la densidad de bits del nuevo BiCS10 se ha incrementado en un 59%. En términos de rendimiento, gracias a la introducción integral del bus de interfaz Toggle DDR 6.0, el protocolo SCA y la tecnología PI-LTT, la velocidad de transmisión de la interfaz de BiCS10 se ha disparado a unos asombrosos 4,8 Gb/s, logrando un salto de rendimiento del 33 % en comparación con la generación anterior.

Además de los avances duales en rendimiento y densidad, el rendimiento de BiCS10 en eficiencia energética también es sobresaliente. El chip continúa utilizando la tecnología de arquitectura CBA (CMOS directamente unido a la matriz, CMOS directamente unido a la matriz de obleas) de SanDisk probada en el mercado. Este proceso de vanguardia maximiza el rendimiento eléctrico mediante la fabricación de circuitos lógicos CMOS y conjuntos de memoria flash en obleas separadas y luego uniéndolos mediante tecnología de alineación de obleas de alta precisión. Con el apoyo de esta tecnología, la eficiencia energética de entrada y salida de datos del chip BiCS10 TLC se ha optimizado significativamente. En comparación con la generación BiCS8, su consumo de energía de entrada se ha reducido en un 10% y su consumo de energía de salida se ha reducido significativamente en un 34%. Esto es crucial para los centros de datos modernos y la infraestructura de nivel empresarial que desean reducir los costos operativos y la presión de disipación de calor.

Alper Ilkbahar, director de tecnología de SanDisk, dijo a los medios de la industria en la conferencia de prensa que a medida que el mundo actual se vuelve cada vez más conectado, con un uso intensivo de datos y cada vez más inteligente, la tecnología de memoria flash NAND está desempeñando un papel fundamental cada vez más importante para respaldar la escala de la potencia informática moderna. Hizo hincapié en que el anterior BiCS8 ha establecido un nuevo punto de referencia para la industria al combinar capacidades de unión de obleas con ganancias reales en densidad y eficiencia energética; y el BiCS10 TLC de hoy se basa en esta sólida base para ofrecer a los clientes velocidades de interfaz más rápidas, mayor densidad de bits y mejor rendimiento del consumo de energía, lo que demuestra claramente la fuerza innovadora de SanDisk en la hoja de ruta tecnológica a largo plazo para la memoria flash 3D.