Es posible que Samsung no pueda producir en masa chips HBM utilizando tecnología de enlace híbrido hasta 2029, cuando se combinará con la GPU Feynman AI de próxima generación de Nvidia. La unión híbrida es la tecnología de fabricación de próxima generación de HBM. Elimina microprotuberancias entre las capas de DRAM, reduce el espacio entre capas y proporciona un mejor rendimiento. Se considera la dirección futura de HBM. En comparación con las conexiones tradicionales de microgolpes, la unión híbrida puede hacer que las capas del chip se adhieran más estrechamente entre sí, lo que resulta en una transmisión de datos más rápida y un menor consumo de energía.
Samsung está comprando 50 máquinas de unión híbrida de BE Semiconductor en los Países Bajos y planea comenzar la instalación a finales de este año y la producción en masa en 2029-2030.
Al mismo tiempo, Samsung también está desarrollando chips HBM personalizados, integrando chips lógicos directamente en HBM y utilizando la arquitectura de sistema en paquete (SiP) 3D para mejorar aún más el rendimiento.
Se espera que la GPU Feynman AI de Nvidia se lance después de Rubin Ultra y se basará en el apilamiento 3D y HBM personalizado, coincidiendo con el calendario de producción en masa de unión híbrida de Samsung.
La producción en masa de enlaces híbridos de Samsung es más tardía de lo esperado, lo que puede afectar su progreso para alcanzar a SK Hynix en el mercado de HBM, pero el momento de coincidir con la nueva GPU de Nvidia en 2029 muestra que Samsung está apuntando al mercado de próxima generación.
¿Cree que la tecnología de unión híbrida de Samsung puede igualar las ventajas de HBM de SK Hynix?
