Debido a los controles de exportación de Estados Unidos, el gigante chino de chips de memoria Changxin Memory (CXMT) enfrenta muchos obstáculos para adquirir el equipo avanzado necesario para producir memoria de alto ancho de banda (HBM), lo que dificulta competir directamente con los gigantes internacionales en el mercado principal de memorias de IA. Sin embargo, las últimas tendencias de la industria muestran que Changxin Memory está tratando de encontrar una nueva forma de lograr un gran avance recurriendo a la "DRAM personalizada".
El informe señaló que a medida que el enfoque de desarrollo del hardware de inteligencia artificial se ha expandido gradualmente desde depender únicamente de la potencia informática de la GPU a mejorar el rendimiento de la memoria de alta velocidad, Changxin Memory ha cambiado su enfoque estratégico hacia los circuitos integrados 3D (3D IC) y la tecnología 3D DRAM. Se espera que este nuevo diseño de arquitectura resuelva eficazmente el cuello de botella en el rendimiento de la transmisión de datos sin depender de los equipos tradicionales de HBM.
Se entiende que muchas empresas de diseño de chips sin fábrica han expresado intenciones de cooperación con los gigantes coreanos de semiconductores como Samsung Electronics en este tipo de nuevo diseño personalizado. Sin embargo, tanto Samsung como SK Hynix están adoptando actualmente un enfoque extremadamente cauteloso. Para estos dos gigantes coreanos, la producción en masa a gran escala y el envío de módulos DRAM estándar es su principal fuente de ganancias actual. Entrar a ciegas en el mercado de DRAM 3D, altamente personalizado y relativamente especializado, no sólo va en contra del modelo de negocio maduro existente, sino que también conlleva enormes riesgos de mercado y de investigación y desarrollo. Aunque el dúo coreano también está llevando a cabo investigaciones tecnológicas de vanguardia sobre 3D DRAM y 3D IC, no hay planes para promover la comercialización a gran escala en el corto plazo.
La estrategia de cobertura del gigante coreano ha creado una rara ventana de entrada al mercado para los fabricantes de chips chinos como Changxin Memory. Sin embargo, apostar por DRAM personalizada también enfrenta desafíos e incertidumbres considerables. Aunque los fabricantes chinos de semiconductores han desarrollado con éxito una serie de chips de muestra DRAM 3D y han comenzado a conectarse con proyectos de clientes, todavía no está claro si esta arquitectura puede proporcionar un rendimiento igual o incluso mejor que el de HBM en escenarios reales de inferencia de IA.
Además, el control de costos y el rendimiento de la producción en masa también son grandes problemas que enfrenta Changxin Storage. Después de que el primer lote de productos entra en la etapa de producción en masa, una gran cantidad de prueba y error y de inversión en I+D en la etapa inicial pueden aumentar los costos, y queda por verificar si el tamaño final del mercado puede respaldar los retornos de la comercialización. Sin embargo, para los fabricantes chinos que carecen de acceso a equipos clave de HBM, la exploración activa de nuevas pistas de memoria 3D es sin duda una medida proactiva para romper el bloqueo tecnológico existente y el estancamiento del mercado.